[發(fā)明專利]帶雙凸點(diǎn)的四邊扁平無(wú)引腳雙IC芯片封裝件及其生產(chǎn)方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110215870.7 | 申請(qǐng)日： | 2011-07-29 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102263081A | 公開（公告）日： | 2011-11-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 郭小偉;慕蔚;何文海 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 天水華天科技股份有限公司;華天科技（西安）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/495 | 分類號(hào)： | H01L23/495;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 甘肅省知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)中心 62100 | 代理人： | 鮮林 |
| 地址： | 741000 甘*** | 國(guó)省代碼： | 甘肅;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 帶雙凸點(diǎn) 四邊 扁平 引腳 ic 芯片 封裝 及其 生產(chǎn) 方法 | ||
1.一種帶雙凸點(diǎn)的四邊扁平無(wú)引腳雙IC芯片封裝件，包括引線框架載體、粘片膠、IC芯片、內(nèi)引腳、鍵合線、及塑封體，其特征在于所述的內(nèi)引腳（4）向內(nèi)延伸靠近所述的載體（1），載體（1）縮小，載體（1）上粘接有第一IC芯片（3），第一IC芯片（3）上端粘接第二IC芯片（8），所述內(nèi)引腳底部的凹坑（16）長(zhǎng)度加長(zhǎng)，每只內(nèi)引腳（4）在靠近載體一側(cè)底面形成一外露的凸點(diǎn)（15），每只內(nèi)引腳（4）的外側(cè)形成一外露的柱形外引腳（10），所述外露凸點(diǎn)(15)上面的內(nèi)引腳呈柱形內(nèi)引腳（4），柱形內(nèi)引腳（4）上打接第一鍵合線（5）和第三鍵合線（12），第一鍵合線（5）另一端與第一IC芯片（3）焊接，所述第三鍵合線（12）另一端與所述第二IC芯片（8）焊接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶雙凸點(diǎn)的四邊扁平無(wú)引腳雙IC芯片封裝件，其特征在于所述第一IC芯片（3）與第二IC芯片（8）之間連接有第二鍵合線（9）。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種帶雙凸點(diǎn)的四邊扁平無(wú)引腳雙IC芯片封裝件，其特征在于所述的內(nèi)引腳（4）向內(nèi)延伸0.2mm～0.8mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶雙凸點(diǎn)的四邊扁平無(wú)引腳封裝件，其特征在于所述的載體（1）縮小0.4mm～1.6mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶雙凸點(diǎn)的四邊扁平無(wú)引腳封裝件，其特征在于所述凹坑（16）長(zhǎng)度加長(zhǎng)0.2mm～0.5mm，凹坑（16）的內(nèi)側(cè)是所述的外露凸點(diǎn)（15），凹坑（16）的外側(cè)是所述的外露的柱形外引腳（10）。
6.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶雙凸點(diǎn)的四邊扁平無(wú)引腳雙IC芯片封裝件的生產(chǎn)方法，其工藝步驟如下：
a減薄
8〞～12〞晶圓厚度減薄機(jī)，下層芯片減薄厚度200μm，粗糙度Ra?0.10mm，同常規(guī)QFN減薄；上層芯片減薄厚度100μm，粗糙度Ra?0.05mm，采用防翹曲、拋光工藝；?
b劃片
8〞～12〞劃片機(jī),下層芯片減薄厚度200μm，采用普通QFN劃片工藝，
上層芯片減薄厚度100μm，采用防碎片劃片工藝；
?c上芯
粘片材料:?底層粘片采用膨脹系數(shù)80～195PPM/℃、低吸水率＜0.15%的導(dǎo)電膠或絕緣膠，上層芯片采用絕緣膠或膠膜片，引線框架選用帶雙凸點(diǎn)的四面扁平無(wú)引腳框架,分別采用防分層烘烤工藝，烘烤溫度175℃1～3小時(shí)；
d.壓焊
焊線材料選用金線,壓焊采用低弧度壓焊工藝,高低弧正反打線方式,焊線溫度150℃～210℃；先在金線鍵合機(jī)上給第二IC芯片（8）和第一IC芯片（3）間焊線的焊盤上各植1?個(gè)金球，然后給第二IC芯片（8）和第一IC芯片（3）已植金球間打第二鍵合線（9），最后給第一IC芯片（3）、第二IC芯片（8）和對(duì)應(yīng)的內(nèi)引腳間打第一鍵合線（5）和第三鍵合線（12）；
e.塑封
采用通用QFN自動(dòng)包封系統(tǒng),選用低應(yīng)力、低吸水率的塑封料,?模溫165℃～180℃,注塑壓力30～35Kgf/C㎡；
f.電鍍和打印
同普通QFN工藝；
g.切割
將矩陣式框架封裝產(chǎn)品按產(chǎn)品設(shè)計(jì)規(guī)格切割成單個(gè)電路,經(jīng)檢查后,放入料盤。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種帶雙凸點(diǎn)的四邊扁平無(wú)引腳封裝件的生產(chǎn)方法，其特征在于所述步驟c上芯的上層芯片采用膠膜片時(shí)，上層芯片烘烤溫度150℃2.5小時(shí)。
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