[發明專利]一種石墨烯薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201110215856.7
• 申請日: 2011-07-29
• 公開（公告）號: CN102897750A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 徐明生;陳紅征;施敏敏;吳剛;汪茫
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C01B31/04
• 分類號: C01B31/04
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 劉曉春

1.一種石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于從預先合成的石墨烯薄膜（1）中選取一小片石墨烯薄膜（2），將所述的小片石墨烯薄膜（2）轉移到導體、半導體或絕緣體的襯底（3）上作為誘導石墨烯薄膜生長的起點，在所述的襯底（3）上采用來自于固體碳源、液體碳源、氣體碳源或前述碳源中任意兩種或兩種以上混合碳源釋放的碳原子（4）以小片石墨烯薄膜（2）為起點而生長石墨烯薄膜（5）。

2.根據權利要求1所述的石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于所述的預先合成的石墨烯薄膜（1）是由微機械剝離、液相剝離、化學氣相沉積、碳偏析、化學氧化還原反應、分解固相碳源或分解液相碳源的方法而合成的石墨烯薄膜。

3.根據權利要求1所述的石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于所述的小片石墨烯薄膜（2）的形狀為正方形、長方形、圓形、橢圓形或不規則型。

4.根據權利要求1所述的石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于所述的小片石墨烯薄膜（2）的層數為1層至200層，優選為1層至20層，最優為1層至5層。

5.根據權利要求1所述的石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于所述的小片石墨烯薄膜（2）面積為1nm²至50000cm²，優選為1nm²至1000cm²，最優為1nm²至100um²。

6.根據權利要求1所述的石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于以小片石墨烯薄膜（2）為誘導點而大面積生長石墨烯薄膜（5）所需的碳原子（4）來自于容易產生碳原子的含有碳原子的氣態碳源、固態碳源、液態碳源材料或前述碳源中任意兩種或兩種以上混合碳源材料。

7.根據權利要求1所述的石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于從固體碳源、液體碳源、氣體碳源或前述碳源中任意兩種或兩種以上混合碳源釋放碳原子的方法包括經過金屬催化材料的熱處理、濺射方法、激光處理、等離子體處理或化學分解反應；所述的釋放的碳原子在有預先合成的小片石墨烯薄膜的襯底上生長石墨烯薄膜。

8.根據權利要求1所述的石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于在襯底上生長成的石墨烯薄膜（5）的層數為1層至200層，優選為1層至20層，最優為1層至5層。

9.根據權利要求1所述的石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于生長石墨烯薄膜（5）的溫度為0℃至2000℃，優選為50℃至1000℃，最優為50℃至600℃。