[發(fā)明專利]半導(dǎo)體處理裝置及控制方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110215819.6
• 申請(qǐng)日: 2011-07-29
• 公開（公告）號(hào): CN102903605A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 溫子瑛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫華瑛微電子技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/00
• 分類號(hào): H01L21/00;H01L21/67
• 代理公司: 無錫互維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32236
• 代理人: 王愛偉

1.一種半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，其包括：

包括一用于容納和處理半導(dǎo)體晶圓的微腔室部，所述微腔室部包括具有上腔室內(nèi)壁的上腔室部和具有下腔室內(nèi)壁的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部可在一用于裝載或移除半導(dǎo)體晶圓的打開位置和一用于緊密容納半導(dǎo)體晶圓的關(guān)閉位置之間移動(dòng)，

在關(guān)閉位置時(shí)，半導(dǎo)體晶圓安裝于所述上腔室內(nèi)壁和下腔室內(nèi)壁形成的空腔內(nèi)，且與所述空腔內(nèi)壁之間形成有供處理流體流動(dòng)的空隙，所述微腔室部中還包括至少一個(gè)供處理流體進(jìn)入所述空腔的入口和至少一個(gè)供處理流體排出所述空腔的出口，

還包括一驅(qū)動(dòng)裝置，所述驅(qū)動(dòng)裝置包括若干個(gè)驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器對(duì)應(yīng)于所述上腔室內(nèi)壁或者下腔室內(nèi)壁的部分區(qū)域，所述驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)所述上腔室內(nèi)壁或者下腔室內(nèi)壁的對(duì)應(yīng)區(qū)域與半導(dǎo)體晶圓間的空隙發(fā)生改變。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述上腔室部或者下腔室部還包括一薄層彈性基板，所述薄層彈性基板的一個(gè)表面形成所述上腔室內(nèi)壁或者所述下腔室內(nèi)壁，所述薄層彈性基板的另一面與所述若干個(gè)驅(qū)動(dòng)器相貼合。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)器是流體驅(qū)動(dòng)器，所述薄層彈性基板的另一面的不同局部區(qū)域分別與所述若干個(gè)流體驅(qū)動(dòng)器貼合接觸，當(dāng)其中一個(gè)流體驅(qū)動(dòng)器膨脹時(shí)，可以提供相接觸于所述上腔室內(nèi)壁或者所述下腔室內(nèi)壁并且指向所述空腔內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)力給所述薄層彈性基板與其貼合的對(duì)應(yīng)區(qū)域，使得該局部區(qū)域?qū)?yīng)的空腔內(nèi)壁形成凸起；而當(dāng)某個(gè)流體驅(qū)動(dòng)器收縮時(shí)，可以提供垂直于所述上腔室內(nèi)壁或者所述下腔室內(nèi)壁并且指向所述空腔外部的驅(qū)動(dòng)力給所述薄層彈性基板與其貼合的對(duì)應(yīng)區(qū)域，使得該局部區(qū)域?qū)?yīng)的空腔內(nèi)壁形成凹陷。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)力的大小與所述流體驅(qū)動(dòng)器膨脹或收縮的程度相關(guān)，所述驅(qū)動(dòng)力的方向與所述流體驅(qū)動(dòng)器處于膨脹狀態(tài)或者收縮狀態(tài)相關(guān)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述上腔室部或者下腔室部還包括固定或者相連所述薄層彈性基板的盒體部，所述薄層彈性基板和所述盒體部?jī)?nèi)夾持容納所述若干個(gè)驅(qū)動(dòng)器，所述盒體部提供穩(wěn)定的支撐力于所述各個(gè)驅(qū)動(dòng)器。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述空隙的預(yù)定寬度在0.01mm與10mm之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體處理裝置還包括處理流體供應(yīng)裝置和處理流體收集裝置，

所述處理流體供應(yīng)裝置，連接于供處理流體進(jìn)入所述空腔的入口，用于提供處理流體，和

所述處理流體收集裝置，連接于供處理流體排出所述空腔的出口，用于收集處理半導(dǎo)體晶圓后的處理流體，

其中，所述處理流體包括化學(xué)制劑和氣體。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述上腔室部和下腔室部的邊緣包含對(duì)應(yīng)的柱位孔，所述上腔室部和所述下腔室部可沿貫穿所述柱位孔的立柱的導(dǎo)引下在一用于裝載或移除半導(dǎo)體晶圓的打開位置和一用于緊密容納半導(dǎo)體晶圓的關(guān)閉位置之間移動(dòng)。