[發明專利]MEMS晶圓的切割方法有效
| 申請號： | 201110215784.6 | 申請日： | 2011-07-29 |
| 公開（公告）號： | CN102897708A | 公開（公告）日： | 2013-01-30 |
| 發明（設計）人： | 徐乃濤;劉金峰 | 申請（專利權）人： | 美新半導體（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 無錫互維知識產權代理有限公司 32236 | 代理人： | 王愛偉 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mems 切割 方法 | ||
1.一種MEMS晶圓的切割方法，其特征在于：其包括以下步驟：
將膜貼在晶圓的正面保護MEMS結構；
將激光聚焦于晶圓內部進行照射，自晶圓正面向晶圓內部的位置形成改質層，然后在晶圓背面與所述改質層相對應的位置進行激光照射，在晶圓背面形成標記槽；
沿標記槽的位置在晶圓背面進行水刀切割且不切到底，自晶圓背面向晶圓內部形成水刀切割槽，所述水刀切割槽遠離晶圓背面的一端與改質層相連；和
沿改質層進行裂片引伸，直至各個MEMS結構之間完全分開。
2.根據權利要求1所述的MEMS晶圓的切割方法，其特征在于：所述保護MEMS結構的步驟中，將設有孔的第一膜貼在晶圓正面，所述孔與MEMS結構一一對應，再將完整的第二膜貼在第一膜的上面。
3.根據權利要求2所述的MEMS晶圓的切割方法，其特征在于：所述孔的尺寸略大于MEMS結構，MEMS結構對應孔的正中間位置。
4.根據權利要求1所述的MEMS晶圓的切割方法，其特征在于：所述形成改質層的步驟中，先后將激光聚焦于晶圓內部進行兩次激光照射，形成第一改質層和第二改質層，所述第一改質層和第二改質層相互分離。
5.根據權利要求4所述的MEMS晶圓的切割方法，其特征在于：所述第一改質層的深度為自晶圓正面向晶圓內部0～25μm，第二改質層的深度為自晶圓正面向晶圓內部35～60μm，第一改質層和第二改質層的寬度為20～25μm。
6.根據權利要求4所述的MEMS晶圓的切割方法，其特征在于：所述第一改質層和第二改質層相距0～10μm。
7.根據權利要求1所述的MEMS晶圓的切割方法，其特征在于：所述標記槽的深度為3～5μm。
8.根據權利要求1所述的MEMS晶圓的切割方法，其特征在于：所述水刀切割槽的寬度為15～40μm。
9.根據權利要求1所述的MEMS晶圓的切割方法，其特征在于：所述水刀切割的步驟之后，裂片引伸的步驟之前，還包括對晶圓背面用高壓去離子水清洗并甩干。
10.根據權利要求1所述的MEMS晶圓的切割方法，其特征在于：所述裂片引伸的步驟中，沿改質層進行裂片引伸，然后在晶圓背面貼膜，再將晶圓正面的膜揭掉，再次進行引伸，直至各個MEMS結構之間完全分開。
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