[發明專利]溫控半導體處理裝置

有效

• 申請號: 201110215745.6
• 申請日: 2011-07-29
• 公開（公告）號: CN102903624A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 溫子瑛
• 申請（專利權）人: 無錫華瑛微電子技術有限公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司 32236
• 代理人: 王愛偉

1.一種溫控半導體處理裝置，其特征在于，其包括：

一用于容納和處理半導體晶圓的微腔室部，半導體晶圓被裝載于所述微腔室部內形成的空腔中，且半導體晶圓與所述空腔的內壁之間形成有供處理流體流動的空隙，所述微腔室部中還包括至少一個供處理流體進入所述空腔的入口和至少一個供處理流體排出所述空腔的出口，

所述微腔室部還包括有設置于所述空腔的外圍區域的溫度控制模塊。

2.根據權利要求1所述的溫控半導體處理裝置，其特征在于，所述溫度控制模塊為形成于所述微腔室部中的一條曲折微通道，所述曲折微通道包括若干條首尾相接并且平行于所述空腔內壁的微通道，所述微腔室部中還包括對應于所述曲折微通道的導熱媒介入口和導熱媒介出口。

3.根據權利要求1所述的溫控半導體處理裝置，其特征在于，所述溫度控制模塊為形成于所述微腔室部中的若干條平行于所述空腔內壁的微通道，所述微腔室部中還包括若干對對應于每條微通道的導熱媒介入口和導熱媒介出口。

4.根據權利要求1所述的溫控半導體處理裝置，其特征在于，所述溫度控制模塊為形成于所述微腔室部中的一條曲折微通道，所述曲折微通道沿曲折路徑延伸形成，所述曲折路徑包括至少一條從中心向四周延伸的路徑，所述中心對應于所述供處理流體進入所述空腔的入口。

5.根據權利要求4所述的溫控半導體處理裝置，其特征在于，所述曲折路徑為一條螺線路徑或者兩條沿所述中心對稱的螺線路徑。

6.根據權利要求5所述的溫控半導體處理裝置，其特征在于，所述螺線為阿基米德螺線或者費馬螺線。

7.根據權利要求4至6任一所述的溫控半導體處理裝置，其特征在于，所述曲折微通道為并列的兩條管狀通道，其中一條管狀通道的導熱媒介入口相鄰與另一條管狀通道的導熱媒介出口。

8.根據權利要求1所述的溫控半導體處理裝置，其特征在于，所述溫度控制模塊包括若干個溫度控制單元，每個溫度控制單元對應于所述空腔的不同外圍區域。

9.根據權利要求8所述的溫控半導體處理裝置，其特征在于，所述溫度控制單元設置于所述微腔室部內的電阻加熱單元或者流體溫控單元，所述流體溫控單元包括一貯液囊和連通所述貯液囊的導熱媒介入口和導熱媒介出口。

10.根據權利要求2、3、4、5、6和9任一所述的溫控半導體處理裝置，所述溫控半導體處理裝置還包括導熱媒介供應裝置和導熱媒介收集裝置，

所述導熱媒介供應裝置，連接于所述導熱媒介入口，用于提供導熱媒介，和

所述導熱媒介收集裝置，連接于所述導熱媒介出口，用于收集流經所述微通道后的導熱媒介，

其中，所述導熱媒介包括加熱流體和制冷流體，所述導熱媒介供應裝置中還包括至少一個調節閥，所述調節閥用于控制所述導熱媒介進入所述微通道的流動速率。