[發(fā)明專利]一種口腔種植用瓷基臺(tái)及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110215575.1
• 申請(qǐng)日: 2011-07-29
• 公開（公告）號(hào): CN102357044A
• 公開（公告）日: 2012-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王培志;夏露;光寒冰;王潔;許小會(huì)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 王培志;夏露;光寒冰;王潔;許小會(huì)
• 主分類號(hào): A61C8/00
• 分類號(hào): A61C8/00;A61C13/08
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 32102
• 代理人: 何朝旭

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種口腔醫(yī)療器材及其制造方法，尤其是一種口腔種 植用瓷基臺(tái)及其制造方法，屬于牙種植技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

隨著現(xiàn)代牙種植技術(shù)的日益成熟，牙種植修復(fù)已在臨床上得到廣 泛應(yīng)用，成為修復(fù)牙列缺損、缺失的重要方法之一。目前已有的種植 系統(tǒng)一般為兩段式，即由種植體和基臺(tái)組成?；_(tái)是種植義齒，與連 接埋植于頜骨中的種植體及起行使功能的上部結(jié)構(gòu)的重要部件，穿通 牙齦組織，并在種植義齒的美觀效果中起著重要作用。傳統(tǒng)的基臺(tái)絕 大多數(shù)由金屬制成，其透光性及美學(xué)性能難以滿足患者及修牙醫(yī)生的 需要。近年來(lái)，隨著材料學(xué)和制瓷技術(shù)的飛速發(fā)展，人們已經(jīng)用高性 能的陶瓷基臺(tái)替代金屬基臺(tái)成為口腔種植美容修復(fù)中較為常用的基 臺(tái)。據(jù)申請(qǐng)人了解，世界上第一例的陶瓷基臺(tái)是1991年應(yīng)用于牙種 植修復(fù)中的CerAdapt基臺(tái)，其由致密燒結(jié)的高純度氧化鋁瓷核制成。 1997年，Sadoun等又公布了一種玻璃滲透鋁一鋯瓷基臺(tái)的制作程序 及其在臨床單個(gè)前牙種植修復(fù)中的應(yīng)用。目前，陶瓷基臺(tái)按其制作方 式可以分為預(yù)成基臺(tái)和定制基臺(tái)。其中預(yù)成基臺(tái)為成品基臺(tái)，在工廠 內(nèi)制作完成后，由修復(fù)醫(yī)生進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整以滿足大部分臨床患者的需 求，但是這種基臺(tái)難以適應(yīng)患者的個(gè)性化要求；而定制基臺(tái)為個(gè)性化 基臺(tái)，在特殊情況下患者無(wú)法使用預(yù)成基臺(tái)，只能根據(jù)其具體情況采 用計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)和制造技術(shù)定制個(gè)性化基臺(tái)。這兩種基臺(tái)的制作工 藝復(fù)雜，成本較高，一般的患者難以負(fù)擔(dān)高昂的費(fèi)用。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決技術(shù)問題是：克服現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提供一種 制作簡(jiǎn)單，成本低廉，即能夠保證基臺(tái)強(qiáng)度，又能夠改善基臺(tái)美觀性 的口腔種植用瓷基臺(tái)及其制造方法。

為了解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明的口腔種植用瓷基臺(tái)，包括具有 沉頭通孔的基座，其改進(jìn)之處在于，所述沉頭通孔中裝有外螺紋與置 入頜骨內(nèi)種植體螺紋孔相配的中央沉頭螺絲；所述基座的下端具有嵌 入種植體內(nèi)的縮徑接圈，中部具有向外延伸的突沿；所述基座上部外 圓包覆有金屬底層，所述金屬底層的底端沿所述突沿的上表面外展， 所述金屬底層外包覆有鑄造瓷層；所述鑄造瓷層的外形與烤瓷冠底部 的凹孔相配。

上述技術(shù)方案中，所述鑄造瓷層隨所述金屬底層朝上延伸，形成 炮樓狀圓臺(tái)，所述圓臺(tái)中心具有與所述沉頭通孔相通的中心孔，所述 圓臺(tái)的外圓具有與烤瓷冠底部凹孔壓合時(shí)的楔緊錐度。

上述技術(shù)方案中，所述金屬底層和鑄造瓷層之間還具有遮色瓷 層。

本發(fā)明還提供了一種口腔種植用瓷基臺(tái)的制造方法，其步驟如 下：

第一步、在基座上制作與金屬底層形狀相配的蠟?zāi)Ｒ约拌T道，并 將其固定在鑄圈內(nèi)，向鑄圈灌注包埋材料混合液，靜置使混合液凝固 成為包埋體；

第二步、將包埋體在880～920℃溫度下焙燒，時(shí)間為40～55min， 熔融蠟?zāi)２⒌钩鱿炓?，將金屬合金熔融后從鑄道澆入焙燒好的包埋體 型腔內(nèi)，鑄造完成后，清除包埋材料，得到包覆金屬底層的基座；

第三步、制作與鑄造瓷層形狀相配的蠟?zāi)Ｒ约拌T道，并將其固定 在鑄圈內(nèi)，向鑄圈灌注包埋材料混合液，靜置使混合液凝固成為包埋 體；

第四步、將包埋體在830～870℃溫度下焙燒，時(shí)間為45min， 熔融蠟?zāi)２⒌钩鱿炓海瑢㈣T造陶瓷在910～950℃溫度熔融后從鑄道 澆入焙燒好的包埋體型腔內(nèi)，鑄造完成后，清除包埋材料，得到初成 品；

第五步、將初成品打磨、修形，并裝入沉頭螺絲，即得到所述瓷 基臺(tái)成品。

上述技術(shù)方案中，所述第二步與第三步之間還具有：在金屬底層 的表面均勻涂布遮色糊劑，并在930～970℃溫度下真空燒結(jié)，時(shí)間 為1±0.1min，得到了附著在金屬底層上的遮色瓷。

上述技術(shù)方案中，所述第五步中還具有：初成品打磨、修形后， 在其鑄造瓷層的表面涂布染色劑，并在760～800℃溫度下真空燒結(jié)， 時(shí)間為1±0.1min。

上述技術(shù)方案中，所述第二步中，金屬合金為金合金，其熔融溫 度為1280～1320℃。

上述技術(shù)方案中，所述第二步中還具有：金屬底層采用氧化鋁顆 粒進(jìn)行表面噴砂處理后在930～970℃溫度下氧化，然后進(jìn)行酸蝕處 理。

上述技術(shù)方案中，所述包埋材料混合液由質(zhì)量比為160∶32∶8 的包埋料、包埋液、水組成。