[發明專利]一種切割硅塊漿料動態更新系統

無效

• 申請號: 201110215463.6
• 申請日: 2011-07-29
• 公開（公告）號: CN102294760A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發明（設計）人: 馬志偉;任軍海;李美麗
• 申請（專利權）人: 英利能源（中國）有限公司
• 主分類號: B28D7/00
• 分類號: B28D7/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

技術領域

本發明涉及硅片加工設備技術領域，特別涉及一種切割硅塊漿料動態更新系統。

背景技術

光伏行業普遍使用多線切割機進行硅片加工，在該環節會采用漿料配合多線切割機的鋼線進行硅片切割，漿料在每單次切割過程中切割能力是逐步下降的。行業里普遍采取的切割方式是每單次切割完畢后，在機床停止待機準備狀態下對漿料進行全部或部分更新，更新完畢后再進行下一次設備運行。為保證較好的硅片加工質量，需要更高的漿料更新量。

以156×156的多晶硅塊采用HCTB5機床切割滿載為例，漿料的更新量為500升，單鋸切割硅塊長度為1700mm，導致硅片加工成本偏高。而單純從降低靜態更新量這一方法來降低硅片加工成本，常常會引起硅片加工過程中穩定性差、斷線率高、硅片表面鋸痕增大、成品率低等不良結果的出現。

如圖1所示，目前漿料的更新通常采用靜態更新的方法，即在切割硅塊前，從漿料添加管路3向漿料缸4中添加切割硅塊所需要的全部漿料5。漿料31經過漿料泵21的抽動，依次經過熱交換器12、流量計13，最后通過漿料泵出管路1的管路口參與硅塊的切割，切割后的漿料5再流回到漿料缸4中。使得在整個切割過程中，所有的漿料5都在不停地循環切割。直到切割結束后都不再添加新漿料。切割結束后，再通過漿料抽走管路2把參與切割后的漿料5全部或部分抽走更新。

目前，也會在切割過程中添加新漿料，其主要工藝流程如下所述。切割硅塊前，從漿料添加管路3向漿料缸4中添加切割硅塊所需要的部分漿料5。切割過程中隨著切割的進行，會有一些被磨削的硅粉進入到漿料5中，引起漿料5的切割能力下降。這時，再繼續通過漿料添加管路3，添加新的漿料5到漿料缸4中，保證漿料的切割能力。

但是，上述兩種漿料的更新方法均存在缺陷。現有的一次性注入全部漿料的方法，需要注入更多的漿料保證整個過程的生產，使得生產成本較高。現有在切割過程中添加新漿料的方法，在切割過程中，隨著切割比例的增加，會有更多的硅粉融入到漿料中，引起漿料切割能力的下降，容易造成硅塊的切割面產生鋸痕，甚至斷線。

因此，如何在保證漿料具有一定切割能力，且防止硅塊的切割面產生鋸痕的前提下，降低一次切割所用漿料的質量，以降低生產成本，是本領域技術人員亟待解決的技術問題。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種切割硅塊漿料動態更新系統，以在保證漿料具有一定切割能力，且防止硅塊的切割面產生鋸痕的前提下，降低一次切割所用漿料的質量，以降低生產成本。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種切割硅塊漿料動態更新系統，包括用于容置漿料的漿料缸，還包括：

與所述漿料缸相連通的漿料抽走管路，其上設有漿料抽走泵；

與所述漿料缸相連通的漿料添加管路，其上設有漿料添加泵；

與所述漿料缸相連通的漿料泵出管路，其上設有漿料泵、第一熱交換器和第一流量計；

控制器，在滿足第一預設條件后，控制所述漿料添加泵和所述漿料抽走泵工作第一預設時間以更新漿料。

優選地，在上述切割硅塊漿料動態更新系統中，所述漿料抽走管路上設有第二流量計。

優選地，在上述切割硅塊漿料動態更新系統中，所述漿料添加管路包括相并聯的第一漿料添加支路和第二漿料添加支路；

所述漿料添加泵設置于所述第一漿料添加支路上，且該第一漿料添加支路上設有二通電磁閥；

第二漿料添加支路通過三通電磁閥與所述漿料泵出管路相連通，所述第二漿料添加支路的輸出端以及所述漿料泵出管路的輸入端和輸出端分別與所述三通電磁閥的三個輸入口相連。

優選地，在上述切割硅塊漿料動態更新系統中，所述第一漿料添加支路上還設有第二熱交換器和第三流量計。

優選地，在上述切割硅塊漿料動態更新系統中，在漿料泵出管路工作第二預設時間后，所述控制器控制所述漿料添加泵和所述漿料抽走泵工作所述第一預設時間以更新漿料。

優選地，在上述切割硅塊漿料動態更新系統中，在所述漿料缸內的漿料密度低于預設密度后，所述控制器控制所述漿料添加泵和所述漿料抽走泵工作所述第一預設時間以更新漿料。

優選地，在上述切割硅塊漿料動態更新系統中，在切割預設比例的工件后，所述控制器控制所述漿料添加泵和所述漿料抽走泵工作所述第一預設時間以更新漿料。