[發明專利]鍍膜件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110215447.7
• 申請日: 2011-07-29
• 公開（公告）號: CN102896826A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 陳文榮;蔣煥梧;陳正士;李聰
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: B32B9/04
• 分類號: B32B9/04;C23C14/14;C23C14/06;C23C14/35;C23C8/10;C23C28/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鍍膜件，包括基體，其特征在于：該鍍膜件還包括依次形成于基體上的呈白色的第一膜層及第二膜層；該第一膜層主要由Zn和O兩種元素組成；該第二膜層主要由Al和Si中的任一種、O及N三種元素組成。

2.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述第一膜層中Zn的質量百分含量為70~78%，O的質量百分含量為22~30%。

3.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述第一膜層的色度區域于CIE?LAB表色系統的L*坐標為89至93，a*坐標為-0.5至0.5，b*坐標為-0.5至0.5。

4.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：當第二膜層主要由Al、O及N三種元素組成時，其中Al的質量百分含量為60~70%，O的質量百分含量為25~28%，N的質量百分含量為2~15%。

5.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：當第二膜層主要由Si、O及N三種元素組成時，其中Si的質量百分含量為65~75%，O的質量百分含量為17~22%，N的質量百分含量為3~18%。

6.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述第二膜層由平均粒徑為10~15nm的納米顆粒組成，第二膜層的粗糙度Ra為10~30nm。

7.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述第一膜層的厚度為5~10μm，所述第二膜層的厚度為2~4μm。

8.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述鍍膜件于該第二膜層表面的60°角光澤度為85~100，色度區域于CIE?LAB表色系統的L*坐標為89至93，a*坐標為-0.5至0.5，b*坐標為-0.5至0.5。

9.一種鍍膜件的制造方法，其包括如下步驟：

提供基體；

采用真空鍍膜法，以鋅靶為靶材，在該基體的表面形成一鋅層；

關閉所述鋅靶，使用氧氣對該鋅層進行熱處理制得第一膜層，該第一膜層主要由Zn和O兩種元素組成；

采用真空鍍膜法，以鋁、鋁合金、硅或硅合金為靶材，以氧氣及氮氣為反應氣體，在該第一膜層上形成第二膜層，該第二膜層主要由Al和Si中的任一種、O及N三種元素組成；

對所述第二膜層的表面進行精拋處理。

10.如權利要求9所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于：形成所述鋅層的工藝參數為：采用磁控濺射鍍膜法，設置鋅靶的功率為2~3kw，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為100~300sccm，施加于基體的偏壓為-100~-300V，鍍膜溫度為20~200℃，鍍膜時間為1~2h。

11.如權利要求9所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于：對所述鋅層進行熱處理待工藝參數為:氧氣的流量為80~150sccm，熱處理溫度為20~200℃，時間為20~60min。

12.如權利要求9所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于：形成所述第二膜層的工藝參數為：采用磁控濺射鍍膜法，設置鋁靶、鋁合金靶、硅靶或硅合金靶的功率為5~10kw，氧氣的流量為50~200sccm、氮氣的流量為80~300sccm，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為100~300sccm，施加于基體的偏壓為-100~-300V，鍍膜溫度為20~200℃，鍍膜時間為50~80min；所述鋁合金靶材中鋁的質量百分含量為85~90%，硅合金靶材中硅的質量百分含量為85~90%。

13.如權利要求9所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于：所述精拋處理的工藝參數為：提供一精拋機，所述精拋機包括一布輪，將含有氧化鋁粉末的懸浮狀水溶液涂覆在該布輪上，對所述第二膜層的表面進行精拋，精拋的時間為10~15min。