[發明專利]鍍膜件及其制造方法

無效

• 申請號: 201110215440.5
• 申請日: 2011-07-29
• 公開（公告）號: CN102896825A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 張新倍;陳正士;李聰
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: B32B9/04
• 分類號: B32B9/04;B32B15/00;C23C14/06;C23C14/35
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• 代理人: 暫無信息

1.一種鍍膜件，包括基體，其特征在于：該鍍膜件還包括依次形成于基體表面的第一膜層及無色透明的第二膜層；所述基體表面分布有若干第一凸起，所述第一膜層的表面對應所述基體形成有第一凸起的部位亦形成有若干第二凸起，該第一膜層呈白色；該第二膜層主要由Al或Si、O及N三種元素構成。

2.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述第一膜層通過噴涂或真空鍍膜的方式形成。

3.如權利要求1或2所述的鍍膜件，其特征在于：所述第一膜層的色度區域于CIE?LAB表色系統的L*坐標為85至91，a*坐標為-0.5至0.5，b*坐標為-0.5至0.5。

4.如權利要求1或2所述的鍍膜件，其特征在于：通過噴涂方式形成的所述第一膜層的厚度為3~8μm。

5.如權利要求1或2所述的鍍膜件，其特征在于：通過真空鍍膜方式形成的所述第一膜層的厚度為1~2μm。

6.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述第二膜層通過真空鍍膜的方式形成。

7.如權利要求1或6所述的鍍膜件，其特征在于：當所述第二膜層主要由Al、O及N三種元素構成時，其中Al的質量百分含量為60~70%，O的質量百分含量為25~28%，N的質量百分含量為2~15%；當所述第二膜層主要由Si、O及N三種元素構成時，其中Si的質量百分含量為65~75%，O的質量百分含量為17~22%，N的質量百分含量為3~18%。

8.如權利要求1或6所述的鍍膜件，其特征在于：所述第二膜層主要由平均粒徑為10~18nm的納米顆粒組成，該第二膜層的粗糙度Ra為10~20nm。

9.如權利要求1或6所述的鍍膜件，其特征在于：所述鍍膜件于該第二膜層表面的60°角測得的光澤度為85~100，色度區域于CIE?LAB表色系統的L*坐標為85至91，a*坐標為-0.5至0.5，b*坐標為-0.5至0.5。

10.如權利要求1或6所述的鍍膜件，其特征在于：所述第二膜層的厚度為2~4μm。

11.一種鍍膜件的制造方法，其包括如下步驟：

提供基體；

于所述基體表面形成若干第一凸起；

于所述基體上形成一第一膜層，所述第一膜層的表面對應所述基體形成有第一凸起的部位亦形成有若干第二凸起，該第一膜層呈白色；

采用真空鍍膜法，以鋁、鋁合金、硅或硅合金為靶材，以氧氣及氮氣為反應氣體，在該基體的表面形成一無色透明的第二膜層，該第二膜層主要由Al或Si、O及N三種元素構成；

對所述第二膜層的表面進行機械拋光處理。

12.如權利要求11所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于：所述第一凸起通過陽極氧化、噴砂、化學蝕刻或激光雕刻的方式形成于所述基體表面。

13.如權利要求11所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于：所述第一膜層通過噴涂或真空鍍膜的方式形成。

14.如權利要求11所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于：用以形成所述第二膜層的靶材中，鋁合金靶材中鋁的質量百分含量為65~80%，硅合金靶材中硅的質量百分含量為65~80%。

15.如權利要求11或14所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于：形成所述第二膜層的工藝參數為：采用磁控濺射鍍膜法，設置鋁靶、鋁合金靶、硅靶或硅合金靶的功率為8~12kw，氧氣的流量為50~200sccm、氮氣的流量為80~300sccm，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為100~300sccm，施加于基體的偏壓為-100~-300V，鍍膜溫度為20~200℃，鍍膜時間為60~80min。

16.如權利要求11所述的鍍膜件的制造方法，其特征在于：所述機械拋光處理的工藝為：采用一機械拋光機，所述拋光機包括一布輪，將含有氧化鋁粉末的懸浮狀水溶液涂覆在該布輪上，對所述第二膜層的表面進行拋光，拋光的時間為10~15min。