[發(fā)明專利]刺入深度可控的異平面微針陣列腦電干電極有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110215380.7 | 申請日: | 2011-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN102334989A | 公開(公告)日: | 2012-02-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉景全;王龍飛;楊春生;楊斌 | 申請(專利權(quán))人: | 上海交通大學(xué) |
| 主分類號: | A61B5/0478 | 分類號: | A61B5/0478 |
| 代理公司: | 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭國中 |
| 地址: | 200240 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 刺入 深度 可控 平面 陣列 腦電干 電極 | ||
1.一種刺入深度可控的異平面微針陣列腦電干電極,其特征在于包括:微針電極,微針電極載體,微針電極框架和控制裝置,其中:所述微針電極框架上設(shè)有小圓柱陣列,所述小圓柱上設(shè)有通孔,所述微針電極通過微針電極載體組裝成異平面微針電極陣列,組裝后的異平面微針電極陣列通過微針電極框架上的通孔插入微針電極框架中,控制裝置設(shè)置在微針電極框架上,所述微針電極位置通過控制裝置的控制在微針電極框架內(nèi)上下調(diào)節(jié),采集腦電信號時,微針電極框架上小圓柱穿過頭發(fā)抵觸頭皮,控制異平面微針電極陣列在微針電極框架內(nèi)的壓縮運動刺穿頭皮達(dá)到相應(yīng)位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刺入深度可控的異平面微針陣列腦電干電極,其特征在于,所述的微針電極框架為直徑、高度不等的三個圓柱體疊加而成,最上面的圓柱直徑最大,往下依次減小,最下面的小圓柱直徑根據(jù)微針電極以及頭發(fā)之間的間隙來確定。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的刺入深度可控的異平面微針陣列腦電干電極,其特征在于,所述小圓柱根據(jù)異平面微針電極陣列的個數(shù)和軌跡來確定其個數(shù)以及軌跡,兩者在數(shù)量和軌跡上相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刺入深度可控的異平面微針陣列腦電干電極,其特征在于,所述的控制裝置用來調(diào)整微針電極刺入頭皮的深度,控制裝置固定于微針電極框架上,且與微針電極載體相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刺入深度可控的異平面微針陣列腦電干電極,其特征在于,所述異平面微針電極陣列通過控制裝置控制在微針電極框架內(nèi)作上下運動,在微針電極框架固定在頭上之前,電極處于松弛狀態(tài),即電極處于微針電極框架的陣列孔內(nèi),等到框架固定住后,框架上最下面的小圓柱已經(jīng)抵觸頭皮,通過控制裝置將異平面微針電極陣列向下運動,將異平面微針電極陣列從陣列圓柱內(nèi)露出,直至刺入頭皮達(dá)到采集時所需的深度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刺入深度可控的異平面微針陣列腦電干電極,其特征在于,所述的微針電極是通過MEMS技術(shù)制作的平面電極,長度根據(jù)頭發(fā)的厚度來確定,針尖長度為0.05~0.15mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刺入深度可控的異平面微針陣列腦電干電極,其特征在于,所述微針電極以及微針電極載體選用生物相容性材料,并且在微針電極表面濺射一層生物相容性好的導(dǎo)電薄膜,微針電極框架選用絕緣材料。
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