[發(fā)明專(zhuān)利]混合式薄膜晶體管及其制造方法以及顯示面板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110215298.4 | 申請(qǐng)日： | 2011-07-25 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102280491A | 公開(kāi)（公告）日： | 2011-12-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 謝秀春;陳亦偉;邱大維;陳崇道 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 友達(dá)光電股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L29/786 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 混合式 薄膜晶體管 及其 制造 方法 以及 顯示 面板 | ||
1.一種混合式薄膜晶體管，其特征在于，包括：一第一薄膜晶體管與一第二薄膜晶體管；
該第一薄膜晶體管，其包括：
一第一柵極、一第一源極以及一第一漏極；以及
一第一半導(dǎo)體層，該第一半導(dǎo)體層位于該第一柵極以及該第一源極與該第一漏極之間，其中該第一半導(dǎo)體層包括一結(jié)晶硅層；以及
該第二薄膜晶體管，其包括：
一第二柵極、一第二源極以及一第二漏極；以及
一第二半導(dǎo)體層，該第二半導(dǎo)體層位于該第一柵極以及該第一源極與該第一漏極之間，其中該第二半導(dǎo)體層包括一金屬氧化物半導(dǎo)體材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合式薄膜晶體管，其特征在于，其中該第一半導(dǎo)體層的該結(jié)晶硅層包括一多晶硅材料或是一微晶硅材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合式薄膜晶體管，其特征在于，其中該第一半導(dǎo)體層還包括一硅層，其位于該結(jié)晶硅層上方，且該硅層包括一微晶硅材料或是一非晶硅材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合式薄膜晶體管，其特征在于，其中該第一半導(dǎo)體層還包括一經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層，其位于該結(jié)晶硅層上方，且該經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層包括摻雜P型雜質(zhì)的非晶硅材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的混合式薄膜晶體管，其特征在于，其中該第二半導(dǎo)體層的該金屬氧化物半導(dǎo)體材料包括氧化銦鎵鋅、氧化鋅、氧化銦鋅、氧化鎵鋅、氧化鋅錫或氧化銦錫。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合式薄膜晶體管，其特征在于，其中該第一半導(dǎo)體層還包括一經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層，其位于該結(jié)晶硅層上方，且該經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層包括摻雜N型雜質(zhì)的非晶硅材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的混合式薄膜晶體管，其特征在于，其中該第二半導(dǎo)體層的該金屬氧化物半導(dǎo)體材料包括氧化錫、氧化銅鋁銦鎵、氧化錫鋁銦、氧化銅鍶、LaCuOS或LaCuOSe。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合式薄膜晶體管，其特征在于，其中該第一薄膜晶體管以及該第二薄膜晶體管分別為一底部柵極型薄膜晶體管或是一頂部柵極型薄膜晶體管。
9.一種混合式薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括：
在一基板上形成一第一薄膜晶體管，其包括第一柵極、一第一源極、一第一漏極以及位于該第一柵極與該第一源極及該第一漏極之間的一第一半導(dǎo)體層，其中該第一半導(dǎo)體層包括一結(jié)晶硅層；以及
在該基板上形成一第二薄膜晶體管，其包括一第二柵極、一第二源極、一第二漏極以及位于該第一柵極與該第一源極及該第一漏極之間的一第二半導(dǎo)體層，其中該第二半導(dǎo)體層包括一金屬氧化物半導(dǎo)體材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的混合式薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中形成該第一薄膜晶體管以及該第二薄膜晶體管的方法包括：
在該基板上形成該第一柵極以及該第二柵極；
形成一絕緣層，覆蓋該第一柵極以及該第二柵極；
在該第一柵極上方的該絕緣層上形成該第一半導(dǎo)體層，該第一半導(dǎo)體層包括該結(jié)晶硅層；
在該第二柵極上方的該絕緣層上形成該第二半導(dǎo)體層；以及
在該第一半導(dǎo)體層上形成該第一源極以及該第一漏極，且在該第二半導(dǎo)體層上形成該第二源極以及該第二漏極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的混合式薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中該第一半導(dǎo)體層還包括位于該結(jié)晶硅層上的一硅層或是一經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層，該硅層包括一微晶硅材料或是一非晶硅材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的混合式薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中形成該經(jīng)過(guò)摻雜的非晶硅層的方法包括沉積一具有摻雜物的非晶硅層。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的混合式薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其中在形成該第二源極以及該第二漏極之前，還包括在該第二半導(dǎo)體層上形成一蝕刻終止層。
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H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
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