[發(fā)明專利]半導體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110215069.2
• 申請日: 2011-07-29
• 公開（公告）號: CN102903621A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設計）人: 殷華湘;徐秋霞;孟令款;陳大鵬
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 曲寶壯;李家麟

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供半導體襯底，在半導體襯底上形成有柵導體層和位于柵導體層兩側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)，

在半導體襯底上形成蝕刻停止層，

在蝕刻停止層上形成LTO層，

化學機械平坦化所述LTO層，

在平坦化的LTO層上形成SOG層，所述蝕刻停止層、LTO層和SOG層構(gòu)成前金屬絕緣層，

回刻蝕前金屬絕緣層的SOG層和蝕刻停止層，從而露出柵導體層，

除去柵導體層。

2.如權利要求1所述的方法，其中回刻蝕后前金屬絕緣層全局平坦度>90%。

3.如權利要求1所述的方法，其中回刻蝕后隔離區(qū)和有源區(qū)前金屬絕緣層全局平坦度>90%。

4.如權利要求1所述的方法，其中回刻蝕后柵導體層附近前金屬絕緣層平坦度>70%。

5.如權利要求1所述的方法，其中柵導體層上方前金屬絕緣層形貌為凹形，凹形的最高處與最低處的高度差為0～40納米。

6.如權利要求1所述的方法，其中多晶硅假柵凸出臨近前金屬絕緣層0～40納米。

7.如權利要求1所述的方法，其中蝕刻停止層是氮化硅層，柵導體層是多晶硅層。

8.如權利要求7所述的方法，其中在氮化硅與SOG界面氮化硅與SOG的刻蝕速率比大于1.2:1。

9.如權利要求8所述的方法，其中化學機械平坦化步驟、回刻蝕步驟以及氮化硅與SOG的刻蝕速率比這些因素共同實現(xiàn)前金屬絕緣層的全局平坦化。

10.如權利要求7所述的方法，其中氮化硅層是應力層，其用于檢測化學機械平坦化所述LTO層的終點。

11.如權利要求7所述的方法，其中回刻蝕前金屬絕緣層的SOG層和蝕刻停止層的刻蝕速率與對柵導體層的刻蝕速率比大于3:1。

12.如權利要求1所述的方法，其中SOG層為低粘滯系數(shù)的絕緣材料，如光刻膠。

13.如權利要求2所述的方法，其中低粘滯系數(shù)的絕緣材料包括光刻膠。

14.如權利要求1所述的方法，其中LTO層可以為保形性的絕緣材料。

15.如權利要求14所述的方法，其中保形性的絕緣材料包括BPSG,?SiO2,?F-SiO2,?C-SiO2或low-k。

16.如權利要求1所述的方法，其中在蝕刻停止層上形成厚度為50nm-500nm的LTO層。

17.如權利要求1所述的方法，其中在平坦化的LTO層上形成10nm-500nm?的SOG層。

18.如權利要求1所述的方法，其中回刻蝕后金屬絕緣層的厚度為10nm-300nm。