[發(fā)明專利]隔離層刻蝕方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110214895.5
• 申請(qǐng)日: 2011-07-29
• 公開（公告）號(hào): CN102903662A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁紅軍;吳長(zhǎng)明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762;H01L21/311
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種隔離層刻蝕方法，包括步驟：

步驟一、在硅基板上形成隔離層；

步驟二、在所述隔離層上形成光刻膠，采用光刻刻蝕工藝在所述隔離層需要刻蝕的區(qū)域形成光刻膠窗口；

步驟三、對(duì)所述光刻膠窗口下方的所述隔離層進(jìn)行等離子體刻蝕、并一直刻蝕到所述硅基板的表面；

其特征在于，還包括如下步驟：

步驟四、進(jìn)行化學(xué)刻蝕對(duì)所述光刻膠窗口下方露出來的所述硅基板的表面圓弧化；

步驟五、去除所述光刻膠。

2.如權(quán)利要求1所述隔離層刻蝕方法，其特征在于：步驟四中所述化學(xué)刻蝕的工藝條件為：采用2.45GHz的微波，采用CF₄氣體、CF₄的流量為10sccm～50sccm，采用O₂氣體、O₂的流量為30sccm～100sccm，刻蝕時(shí)間為5秒～10秒。

3.如權(quán)利要求1所述隔離層刻蝕方法，其特征在于：步驟一中形成所述隔離層包括如下分步驟：在所述硅基板上形成襯墊氧化層；在所述襯墊氧化層上形成氮化硅層；所述隔離層由所述襯墊氧化層和所述氮化硅層組成。