[發(fā)明專利]薄膜形成設(shè)備及方法、壓電元件形成方法、排放頭和設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110214831.5 | 申請日: | 2011-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN102407665A | 公開(公告)日: | 2012-04-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 木平孝和;秋山善一;町田治;八木雅廣;田代亮 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社理光 |
| 主分類號: | B41J2/045 | 分類號: | B41J2/045 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 王冉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜 形成 設(shè)備 方法 壓電 元件 排放 | ||
1.一種薄膜形成設(shè)備,用于利用噴墨方法在襯底上形成薄膜,該薄膜形成設(shè)備包括:
墨水施加單元,該墨水施加單元將用于薄膜形成的墨滴施加到襯底表面上的預(yù)定區(qū)域;
至少一個激光源,用于加熱墨滴由此形成薄膜;以及
激光照射單元,該激光照射單元用來自所述激光源的激光照射位于襯底預(yù)定區(qū)域的后側(cè)上的第一點(diǎn),其中在所述預(yù)定區(qū)域上已經(jīng)施加了墨滴。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜形成設(shè)備,其中:
所述激光照射單元包括:
第一激光照射單元,該第一激光照射單元用激光照射比施加有墨滴的預(yù)定區(qū)域大的第一點(diǎn);
第二激光照射單元,該第二激光照射單元用激光照射所述襯底表面上的第二點(diǎn),該第二點(diǎn)對應(yīng)于所述預(yù)定區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜形成設(shè)備,還包括成像單元,該成像單元獲取襯底的表面的圖像,其中:
所述薄膜形成設(shè)備基于所取得的圖像執(zhí)行襯底上要施加有墨滴的位置的對齊和已經(jīng)施加有墨滴的區(qū)域與要用激光照射的點(diǎn)之間的對齊。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜形成設(shè)備,其中:
墨水施加單元施加自組裝單分子膜材料到襯底的表面上,該材料具有液體排斥性,用于形成液體排斥部分和親液部分構(gòu)成的圖案;以及
由液體排斥部分和親液部分構(gòu)成的圖案是通過激光照射單元所照射的激光去除自組裝單分子膜材料形成的。
5.一種薄膜形成方法,用于利用噴墨方法在襯底上形成薄膜,所述薄膜形成方法包括:
施加用于薄膜形成的墨滴到襯底表面上的預(yù)定區(qū)域上;以及
通過用來自激光源的激光照射位于襯底預(yù)定區(qū)域的后側(cè)上的第一點(diǎn)來烘烤墨滴,由此加熱墨滴,其中所述襯底的預(yù)定區(qū)域上已經(jīng)施加有墨滴。
6.如權(quán)利要求5所述的薄膜形成方法,其中,所述施加包括施加墨滴到襯底的表面上,在該襯底的表面上已經(jīng)形成由液體排斥部分和親液部分構(gòu)成的圖案。
7.如權(quán)利要求5所述的薄膜形成方法,其中:
所述施加包括施加具有液體排斥性的自組裝單分子膜材料到襯底的表面上,在所述襯底的表面上已經(jīng)形成由液體排斥部分和親液部分構(gòu)成的圖案;以及
所述烘烤包括通過激光照射去除自組裝單分子膜材料來形成液體排斥部分和親液部分的區(qū)域。
8.如權(quán)利要求5所述的薄膜形成方法,其中,所述烘烤包括:在用激光照射第一點(diǎn)之后,通過用激光照射襯底表面上的第二點(diǎn)來烘烤墨滴,所述第二點(diǎn)對應(yīng)于所述預(yù)定區(qū)域,由此加熱所述墨滴。
9.如權(quán)利要求5所述的薄膜形成方法,其中,所述烘烤包括用激光照射第二點(diǎn),所述激光具有比照射第一點(diǎn)的激光小的強(qiáng)度。
10.一種壓電元件形成方法,用于利用如權(quán)利要求5所述的薄膜形成方法在襯底上形成壓電元件。
11.一種液滴排放頭,該液滴排放頭利用由如權(quán)利要求10所述的壓電元件形成方法形成的壓電元件。
12.一種噴墨記錄設(shè)備,包括如權(quán)利要求11所述的液滴排放頭。
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