[發(fā)明專利]浮柵場效應(yīng)晶體管及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110214817.5
• 申請日: 2011-07-29
• 公開（公告）號(hào): CN102263136A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁擎擎;朱慧瓏;鐘匯才
• 申請（專利權(quán)）人: 長沙艾爾豐華電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/788
• 分類號(hào): H01L29/788;H01L21/336
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 李娜

1.一種浮柵場效應(yīng)晶體管，該晶體管自下而上依次包括：控制柵、第一柵極電介質(zhì)層、浮柵、第二柵極電介質(zhì)層、有源層，該晶體管的源區(qū)和漏區(qū)位于所述有源層中，溝道區(qū)位于所述源區(qū)和漏區(qū)之間的所述有源層中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中所述控制柵由半導(dǎo)體襯底中的摻雜區(qū)形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中所述控制柵由形成在絕緣襯底上的金屬或摻雜多晶硅形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其中所述控制柵由金屬襯底形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的晶體管，其中所述有源層由多晶硅形成。

6.一種制造浮柵場效應(yīng)晶體管的方法，包括：

對半導(dǎo)體襯底的一部分進(jìn)行離子注入，以形成摻雜區(qū)；

在所述半導(dǎo)體襯底上沉積第一電介質(zhì)層；

在所述第一電介質(zhì)層上形成浮柵層；

在所述浮柵層上沉積第二電介質(zhì)層；

在所述第二電介質(zhì)層上形成有源層；

蝕刻所述第一電介質(zhì)層、所述浮柵層、第二電介質(zhì)層和有源層形成平臺(tái)；以及

對所述有源層的兩個(gè)分離的部分進(jìn)行離子注入，以形成源區(qū)、漏區(qū)和位于源區(qū)和漏區(qū)之間的溝道區(qū)；

其中，所述溝道區(qū)在所述半導(dǎo)體襯底上的投影落入所述摻雜區(qū)內(nèi)。

7.一種制造浮柵場效應(yīng)晶體管的方法，包括：

在絕緣襯底的一部分上形成用作控制柵的導(dǎo)電材料層；

在所述絕緣襯底和所述導(dǎo)電材料層上沉積第一電介質(zhì)層；

在所述第一電介質(zhì)層上形成浮柵層；

在所述浮柵層上沉積第二電介質(zhì)層；

在所述第二電介質(zhì)層上形成有源層；

蝕刻所述第一電介質(zhì)層、所述浮柵層、第二電介質(zhì)層和有源層以形成平臺(tái)；以及

對所述有源層的兩個(gè)分離的部分進(jìn)行離子注入，以形成源區(qū)、漏區(qū)和位于源區(qū)和漏區(qū)之間的溝道區(qū)；

其中，所述溝道區(qū)在所述絕緣襯底上的投影落入所述導(dǎo)電材料層的范圍內(nèi)。

8.一種制造浮柵場效應(yīng)晶體管的方法，包括：

在金屬襯底上沉積第一電介質(zhì)層；

在所述第一電介質(zhì)層上形成浮柵層；

在所述浮柵層上沉積第二電介質(zhì)層；

在所述第二電介質(zhì)層上形成有源層；

蝕刻所述第一電介質(zhì)層、所述浮柵層、第二電介質(zhì)層和有源層，形成平臺(tái)；以及

對所述有源層的兩個(gè)分離的部分進(jìn)行離子注入，以形成源區(qū)和漏區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求6-8之一所述的方法，其中：在所述第二電介質(zhì)層上形成有源層包括：

在所述第二電介質(zhì)層上沉積非晶硅層，晶化該非晶硅層以形成多晶硅層。