[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201110214601.9
• 申請日: 2011-07-20
• 公開（公告）號: CN102412261A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 上村仁
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/40;H01L29/739
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;王忠忠

1.一種半導體裝置，其特征在于包括：

第一導電型的第一半導體層；

第二導電型的第二半導體層，配置于所述第一半導體層下方；

IGBT單元，具有在所述第一半導體層形成的基極區和發射極區且以所述第二半導體層為集電極層；以及

保護環區，包圍配置有所述IGBT單元的單元區，具有在所述第一半導體層形成的保護環，

在所述保護環區的下部中，去除所述第二半導體層。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一半導體層包括：

漂移層；以及

緩沖層，其雜質濃度比所述漂移層高，且介于所述漂移層與所述第二半導體層之間；

在所述保護環區中，在所述漂移層的底部形成有所述第二導電型的雜質層。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中越向芯片的外圍側，所述雜質層越厚。

4.根據權利要求2或3所述的半導體裝置，其中所述雜質層被分割為多個。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述保護環區的下表面由保護膜覆蓋。

6.一種半導體裝置，其特征在于包括：

第一導電型的第一半導體層；

第二導電型的第二半導體層，配置于所述第一半導體層下方；

IGBT單元，具有在所述第一半導體層形成的基極區和發射極區，且以所述第二半導體層為集電極層；以及

保護環區，包圍配置有所述IGBT單元的單元區，具有在所述第一半導體層形成的保護環；

所述第一半導體層包括：

漂移層；和

緩沖層，其雜質濃度比所述漂移層高，且介于所述漂移層與所述第二半導體層之間；

在所述保護環區中，在所述漂移層的底部形成有所述第二導電型的雜質層。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中越向芯片的外圍側，所述雜質層越厚。

8.根據權利要求6或7所述的半導體裝置，其中所述雜質層被分割為多個。

9.一種半導體裝置，其特征在于包括：

第一導電型的第一半導體層；

所述第一導電型的第二半導體層，配置于所述第一半導體層下方，其雜質濃度比所述第一半導體層高；

二極管單元，具有在所述第一半導體層形成的第二導電型的正極層，且以所述第二半導體層為負極層；

負極電極，配置于所述第二半導體層的下表面；以及

保護環區，包圍配置有所述二極管單元的單元區，具有形成于所述第一半導體層的保護環，

在所述保護環區下部中，去除所述負極電極。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，在所述保護環區中，在所述第一半導體層的底部形成有所述第二導電型的雜質層。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中越向芯片的外圍側，所述雜質層越厚。

12.根據權利要求10或11所述的半導體裝置，其中所述雜質層被分割為多個。

13.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中所述保護環區的下表面由保護膜覆蓋。

14.一種半導體裝置，其特征在于包括：

第一導電型的第一半導體層；

所述第一導電型的第二半導體層，配置于所述第一半導體層下方，其雜質濃度比所述第一半導體層高；

二極管單元，具有在所述第一半導體層形成的第二導電型的正極層，且以所述第二半導體層為負極層；

負極電極，配置于所述第二半導體層的下表面；以及

保護環區，包圍配置有所述二極管單元的單元區，且具有在所述第一半導體層形成的保護環，

在所述保護環區中，第一半導體層的底部形成有所述第二導電型的雜質層。

15.根據權利要求14所述的半導體裝置，其中越向芯片的外圍側，所述雜質層越厚。

16.根據權利要求14或15所述的半導體裝置，其中所述雜質層被分割為多個。