[發(fā)明專利]集成二極管的槽形柵多晶硅結(jié)構(gòu)的聯(lián)柵晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110214244.6
• 申請日: 2011-07-28
• 公開（公告）號: CN102751284A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李思敏
• 申請（專利權(quán)）人: 李思敏
• 主分類號: H01L27/102
• 分類號: H01L27/102
• 代理公司: 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100
• 代理人: 張衛(wèi)華

1.一種集成二極管的槽形柵多晶硅結(jié)構(gòu)的聯(lián)柵晶體管，在下層為N型低電阻率層、上層為N型高電阻率層的硅襯底片的上表面有多條N型的高摻雜濃度的發(fā)射區(qū)，發(fā)射區(qū)的上面連接著N型的發(fā)射極摻雜多晶硅層，該發(fā)射極摻雜多晶硅層與發(fā)射極金屬層連接，每條發(fā)射區(qū)的周圍有P型的基區(qū)，基區(qū)的側(cè)面連著摻雜濃度比基區(qū)高、深度比基區(qū)深度深的P型的槽形柵區(qū)，每條槽的底面和側(cè)面覆蓋著絕緣層，側(cè)面絕緣層延伸到硅襯底片的上表面，柵區(qū)與柵極金屬層相連，硅襯底片的上層位于基區(qū)以下和柵區(qū)以下的部分為集電區(qū)，硅襯底片的下層是集電極，集電極的下表面與集電極金屬層相連，發(fā)射極金屬層與發(fā)射極金屬壓焊塊相連，發(fā)射極金屬層與柵極金屬層被鈍化層覆蓋，其特征在于：

在發(fā)射極壓焊塊區(qū)域集成有發(fā)射極—基極二極管和發(fā)射極—集電極二極管；

集成發(fā)射極—基極二極管的P型區(qū)域和集成發(fā)射極—集電極二極管的P型區(qū)域為同一個P型區(qū)域；

集成二極管的P型區(qū)域與發(fā)射極金屬層相連；

集成二極管的P型區(qū)域包圍有高摻雜濃度的集成二極管的N型區(qū)域，集成二極管的N型區(qū)域經(jīng)柵極摻雜多晶硅層與柵極金屬層相連。

2.如權(quán)利要求1所述的集成二極管的槽形柵多晶硅結(jié)構(gòu)的聯(lián)柵晶體管，其特征在于：

所述的集成二極管的N型區(qū)域與柵極金屬層之間的柵極摻雜多晶硅層的厚度為零，集成二極管的N型區(qū)域與柵極金屬層直接相連。

3.如權(quán)利要求1或2所述的集成二極管的槽形柵多晶硅結(jié)構(gòu)的聯(lián)柵晶體管，其特征在于：

所述集成二極管的P型區(qū)域的雜質(zhì)濃度與基區(qū)的雜質(zhì)濃度相同。

4.如權(quán)利要求1或2所述的集成二極管的槽形柵多晶硅結(jié)構(gòu)的聯(lián)柵晶體管，其特征在于：

所述集成二極管的P型區(qū)域分成兩個區(qū)域，一個是平面區(qū)域，該平面區(qū)域的雜質(zhì)濃度與基區(qū)的雜質(zhì)濃度相同，該平面區(qū)域包圍著集成二極管的N型區(qū)域；另一個是槽形區(qū)域，該槽形區(qū)域的雜質(zhì)濃度與槽形柵區(qū)的雜質(zhì)濃度相同。

5.如權(quán)利要求1或2所述的集成二極管的槽形柵多晶硅結(jié)構(gòu)的聯(lián)柵晶體管，其特征在于：

所述硅襯底片的N型的上層分為兩層，靠上一層的電阻率高于靠下一層。

6.如權(quán)利要求3所述的集成二極管的槽形柵多晶硅結(jié)構(gòu)的聯(lián)柵晶體管，其特征在于：

所述硅襯底片的N型的上層分為兩層，靠上一層的電阻率高于靠下一層。

7.如權(quán)利要求4所述的集成二極管的槽形柵多晶硅結(jié)構(gòu)的聯(lián)柵晶體管，其特征在于：

所述硅襯底片的N型的上層分為兩層，靠上一層的電阻率高于靠下一層。