[發(fā)明專利]SRAM單元無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110213098.5 | 申請(qǐng)日： | 2011-07-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102332299A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-01-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡劍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G11C11/413 | 分類號(hào)： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | sram 單元 | ||
1.一種SRAM單元，其特征在于，包括：
寫(xiě)入單元，與寫(xiě)字線和寫(xiě)位線電連接，用于控制對(duì)該SRAM單元寫(xiě)入信息的狀態(tài)；
存儲(chǔ)單元，與所述寫(xiě)入單元電連接，用于將所述寫(xiě)入信息反向，形成存儲(chǔ)信息，提供存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)將所述存儲(chǔ)信息保存；
讀出單元，與讀字線、讀位線和所述存儲(chǔ)單元電連接，用于讀出所述存儲(chǔ)信息。
2.如權(quán)利要求1所述的SRAM單元，其特征在于，所述反向單元為CMOS單元，所述CMOS單元由第二類型晶體管和第一類型晶體管構(gòu)成，所述第二類型晶體管的漏極接高電位信號(hào)，所述第一類型晶體管接低電位信號(hào)，所述第二類型晶體管的源極和第一類型晶體管的漏極電連接，并形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，所述第二類型晶體管和第一類型晶體管的柵極與所述寫(xiě)入單元電連接。
3.如權(quán)利要求2所述的SRAM單元，其特征在于，所述寫(xiě)入單元為寫(xiě)入晶體管，所述寫(xiě)入晶體管的柵極與所述寫(xiě)字線電連接，所述寫(xiě)入晶體管的源極與所述寫(xiě)位線電連接，所述寫(xiě)入晶體管的漏極與所述第二類型晶體管和第一類型晶體管的柵極電連接，形成寫(xiě)入節(jié)點(diǎn)，所述寫(xiě)入晶體管的載流子的導(dǎo)電類型與所述第一類型晶體管的載流子的導(dǎo)電類型相同。
4.如權(quán)利要求3所述的SRAM單元，其特征在于，還包括：電位維持晶體管，柵極與所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電連接，漏極與高電位電連接，源極與所述寫(xiě)入節(jié)點(diǎn)電連接，所述電位維持晶體管用于維持所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的電位保持穩(wěn)定，所述電位維持晶體管的載流子的導(dǎo)電類型與所述第二類型晶體管的載流子的導(dǎo)電類型相同。
5.如權(quán)利要求4所述的SRAM單元，其特征在于，所述寫(xiě)入晶體管的閾值電壓比所述電壓維持晶體管的閾值電壓小0.05～0.2v。
6.如權(quán)利要求2所述的SRAM單元，其特征在于，所述讀出單元為讀出晶體管，所述讀出晶體管的柵極與讀字線電連接，漏極與讀位線電連接，源極與所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電連接。
7.如權(quán)利要求2所述的SRAM單元，其特征在于，所述第二類型晶體管為PMOS晶體管，所述第一類型晶體管為NMOS晶體管。
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