[發明專利]半導體封裝及其制造方法有效

申請號：	201110212849.1	申請日：	2011-07-28
公開（公告）號：	CN102244057A	公開（公告）日：	2011-11-16
發明（設計）人：	凱.史提芬.艾希格;伯恩.卡爾.阿培得;李明錦	申請（專利權）人：	日月光半導體制造股份有限公司
主分類號：	H01L23/485	分類號：	H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60
代理公司：	北京市柳沈律師事務所 11105	代理人：	彭久云
地址：	中國臺***	國省代碼：	中國臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體封裝及其制造方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及半導體裝置封裝(semiconductor?device?package)及其制造方法。更特定來說，本發明涉及具有嵌入式芯片(embedded?die)的半導體裝置封裝及其制造方法。

背景技術

在由較小尺寸的需求和增強處理速度的需求中的至少一部分地驅動下，半導體裝置已變得越來越復雜。同時，存在使包括這些半導體裝置的許多電子產品進一步微型化的需求。半導體裝置通常經封裝，且隨后可被安裝在包括電路的基底(例如，電路板)上。半導體裝置也可安裝在金屬層上，以獲得增強的熱傳導性(thermal?dissipation)。這導致空間被半導體裝置封裝和基底及/或金屬層所占據，且導致基底及/或金屬層上的表面區域被半導體裝置封裝所占據。另外，以單獨的工藝來執行封裝、板制造和組裝可能導致額外的成本。減少基底及/或金屬層上由半導體裝置所占據的空間以及簡化和組合應用于半導體裝置和基底及/或金屬層的封裝、板制造和組裝工藝將會是令人滿意的。

針對此背景技術，需要開發本文所描述的半導體封裝和相關方法。

發明內容

本發明的一個方面涉及一種半導體封裝。在實施例中，所述半導體封裝包括：(1)導電載體，其具有上表面、下表面和側表面，所述側表面包括鄰近于導電載體的上表面的第一部分和鄰近于導電載體的下表面的第二部分，其中第二傾斜部分相對于導電載體的下表面而向內傾斜；(2)芯片，設置于鄰近于導電載體的上表面；(3)圖案化導電層；以及(4)介電材料，其包封芯片，其中所述介電材料定義出開口，圖案化導電層穿過所述開口電連接到導電載體的上表面。

在另一實施例中，所述半導體封裝包括：(1)導電載體，其具有上表面、下表面和側表面，所述側表面包括鄰近于導電載體的上表面的第一部分、鄰近于導電載體的下表面的第二部分以及位于第一部分與第二部分之間的接面處的頂點；(2)芯片，設置于鄰近于導電載體的上表面；以及(3)介電材料，其具有實質上垂直的側表面且實質上包封第一部分。第二部分具有相對于所述實質上垂直的側表面的角偏移。

本發明的另一方面涉及一種形成半導體封裝的方法。在實施例中，所述方法包括：(1)提供具有上表面和下表面的金屬層；(2)形成從金屬層的上表面延伸且部分地穿過金屬層的第一開口；(3)將芯片設置于鄰近于金屬層的上表面；(4)用具有背對芯片的上表面的介電層包封芯片和金屬層的上表面的至少一部分，所述介電層實質上填入第一開口；(5)在介電層中形成第二開口，所述第二開口暴露出金屬層的上表面；(6)鄰近于介電層的上表面而形成圖案化導電層；(7)形成延伸穿過第二開口的導電孔(conductive?via)，所述導電孔將圖案化導電層電連接到金屬層；以及(8)形成從金屬層的下表面延伸且部分地穿過金屬層的第三開口，第三開口與第一開口實質上對準。

本發明的其它方面和實施例也同樣被預期。上述概要和以下詳細描述無意將本發明限于任一特定實施例，而是僅用于描述本發明的一些實施例。

附圖說明本發明的實施例，且連同描述內容一起用以闡釋本發明一些實施例的原理。現在將詳細參考本發明的一些實施例，其實例在附圖中得以說明。只要可能，便在附圖和描述內容中使用相同參考標號來表示相同或相似特征。

附圖說明

圖1說明根據本發明實施例的半導體封裝的剖面圖。

圖2說明根據本發明實施例的半導體封裝的剖面圖。

圖3說明根據本發明實施例的半導體封裝的剖面圖。

圖4說明根據本發明實施例的半導體封裝的剖面圖。

圖5說明根據本發明實施例的半導體封裝的剖面圖。

圖6A到圖6P說明根據本發明實施例的制造半導體封裝的方法。

附圖標記說明

100、200、300、401、500：半導體封裝

102：芯片?????????????????????103：有源表面