[發(fā)明專利]薄膜太陽能電池及其制作方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110212704.1
• 申請(qǐng)日: 2011-07-20
• 公開（公告）號(hào): CN102891202A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賴光杰;蔡富吉;王仁宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)相光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/052
• 分類號(hào): H01L31/052;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 上海信好專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張靜潔;徐雯瓊

1.一種薄膜太陽能電池，包含由下而上依次堆棧的一玻璃基板、一第一電極層、一光吸收層、一第二電極層以及一金屬層，其特征在于：所述第二電極層具有一粗糙表面，其中該粗糙表面具有若干個(gè)凹陷部，所述凹陷部寬度介于100nm～1600nm之間，且凹陷部深度小于800nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述粗糙表面是通過一蝕刻方式所形成，且該蝕刻方式是在室溫環(huán)境下以小于1％稀釋鹽酸溶液所進(jìn)行，蝕刻時(shí)間小于5分鐘。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述粗糙表面的若干凹陷部用于反射波長(zhǎng)介于500nm～1200nm的入射光線。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述粗糙表面的若干凹陷部寬度較佳介于300nm～400nm之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述粗糙表面的若干凹陷部深度較佳介于150nm～200nm之間。

6.一種薄膜太陽能電池制作方法，其特征在于，包含下列步驟：

提供一玻璃基板；

在所述玻璃基板上形成一第一電極層；

在所述第一電極層上形成一光吸收層；

在所述光吸收層上形成一第二電極層；

對(duì)所述第二電極層進(jìn)行蝕刻，使該第二電極層形成一粗糙表面，且該粗糙表面具有若干個(gè)凹陷部；以及

在所述第二電極層的所述粗糙表面上形成一金屬層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜太陽能電池制作方法，其特征在于，所述粗糙表面的若干凹陷部寬度介于100nm～1600nm之間且其深度小于800nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜太陽能電池制作方法，其特征在于，所述蝕刻是在室溫環(huán)境下以小于1％稀釋鹽酸溶液進(jìn)行，蝕刻時(shí)間小于5分鐘。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜太陽能電池制作方法，其特征在于，進(jìn)一步包含一熱處理步驟，用于干燥所述第二電極層。