[發明專利]具有高光取出率的有機電致發光元件及其最適化方法無效
| 申請號: | 201110212337.5 | 申請日: | 2011-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN102290532A | 公開(公告)日: | 2011-12-21 |
| 發明(設計)人: | 林俊良;李孟庭;江伯軒;陳介偉 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;鮑俊萍 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 取出 有機 電致發光 元件 及其 最適化 方法 | ||
1.一種具有高光取出率的有機電致發光元件,其特征在于,包括:
一基材;
一透明電極,位于該基材上;
一有機發光結構,位于該透明電極上;
一反射層,位于該有機發光結構之上;以及
一光學結構層,位于該基材相對于該透明電極的一側,具有一霧度Haze、一反射率R以及一全光穿透率T,且該反射率和該全光穿透率二者之合,與該霧度及該反射率三者的乘積(Haze×R×(R+T))實質介于20%至35%之間。
2.根據權利要求1所述的具有高光取出率的有機電致發光元件,其特征在于,該霧度為:該全光穿透率與偏離一法線0°到5°的一部分光穿透率T0二者之差,除以該全光穿透率所得的商((T-T0)/T)。
3.根據權利要求2所述的具有高光取出率的有機電致發光元件,其特征在于,該霧度大于65%,且該反射率大于5%。
4.根據權利要求1所述的具有高光取出率的有機電致發光元件,其特征在于,該光學結構層包括:
一基底材料層;以及
多個粒子,分散于該基底材料層中,且該些粒子具有實質介于0.1μm到1μm的一平均粒徑。
5.根據權利要求4所述的具有高光取出率的有機電致發光元件,其特征在于,該些粒子的材料,選自于二氧化鈦、氧化鋅、氧化釔、鋱釔鋁石榴石、氧化鋁、二氧化硅、碳酸鈣、硫酸鋇、二氧化鋯以及上述任意組合所組成的一族群。
6.根據權利要求5所述的具有高光取出率的有機電致發光元件,其特征在于,該些粒子具有介于1至10之間的一重量百分濃度;且該基底材料層具有介于0.1mm至1cm的一厚度。
7.一種有機電致發光元件光取出率的最適化方法,其特征在于,包括:
提供一機電致發光元件,包括:
一基材;
一透明電極,位于該基材上;
一有機發光結構,位于該透明電極上;以及
一反射層,位于該有機發光結構之上;以及
形成一光學結構層,于該基材相對于該透明電極的一側,使其具有一霧度Haze、一反射率R以及一全光穿透率T,且該反射率和該全光穿透率二者之合,與該霧度及該反射率三者的乘積(Haze×R×(R+T))實質介于20%至35%之間。
8.根據權利要求7所述的有機電致發光元件光取出率的最適化方法,其特征在于,形成該光學結構層的步驟,包括:
提供一基底材料;
將平均粒徑介于0.1μm到1μm的多個粒子分散于該基底材料中;以及
涂布該含有該些粒子的該基底材料,于該基材相對于該透明電極的一側。
9.根據權利要求8所述的有機電致發光元件光取出率的最適化方法,其特征在于,構成該些粒子的材料,選自于二氧化鈦、氧化鋅、氧化釔、鋱釔鋁石榴石、氧化鋁、二氧化硅、碳酸鈣、硫酸鋇、二氧化鋯以及上述任意組合所組成的一族群。
10.根據權利要求9所述的有機電致發光元件光取出率的最適化方法,其特征在于,形成該光學結構層的步驟,更包括調整該些粒子的一濃度以及該基底材料的一涂布厚度,借以使該霧度大于65%,且使該反射率大于5%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





