[發(fā)明專利]一種新型柵調(diào)制讀出電路結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110212027.3
• 申請(qǐng)日: 2011-07-27
• 公開（公告）號(hào): CN102386910A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃卓磊;王瑋冰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心
• 主分類號(hào): H03K19/094
• 分類號(hào): H03K19/094
• 代理公司: 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所 32104
• 代理人: 殷紅梅

1.一種新型柵調(diào)制讀出電路結(jié)構(gòu)，包括信號(hào)讀出模塊、積分電容(3)和復(fù)位開關(guān)(4)，所述信號(hào)讀出模塊由傳感器(6)、傳感器直流偏置電路(1)和第一柵調(diào)制NMOS管(2)組成；所述信號(hào)讀出模塊的傳感器直流偏置電路(1)與傳感器(6)的輸出端相連，為傳感器提供直流電流偏置；所述信號(hào)讀出模塊的第一柵調(diào)制NMOS管(2)的柵端為輸入端接傳感器(6)的輸出端，將傳感器6的輸出電壓轉(zhuǎn)化為電流在漏端輸出；漏端接積分電容(3)，所述積分電容(3)上級(jí)板與信號(hào)讀出模塊的第一柵調(diào)制NMOS管(2)漏端相接實(shí)現(xiàn)信號(hào)電流的積分；所述復(fù)位開關(guān)(4)的一端接積分電容(3)的上級(jí)板，另一端接參考電平，其特征是：還包括直流偏置消除模塊，所述直流偏置消除模塊由暗單元(7)、暗單元直流偏置電路(8)、第二柵調(diào)制NMOS管(9)和電流鏡(5)組成；所述直流偏置消除模塊的暗單元直流偏置電路(8)為暗單元(7)提供直流偏置；并和暗單元(7)一起為直流偏置消除模塊的第二柵調(diào)制NMOS管提供靜態(tài)工作點(diǎn)；

所述直流偏置消除模塊的第二柵調(diào)制NMOS管(9)的柵端接暗單元(7)的直流偏置電平，漏端輸出直流偏置電流，源端接參考電平；

所述電流鏡(5)將直流偏置消除模塊的第二柵調(diào)制NMOS管(9)提供的電流沉形式的直流電流轉(zhuǎn)換為電流源形式的直流電流；

所述電流鏡(5)輸入端與直流偏置消除模塊的第二柵調(diào)制NMOS管(9)的漏端相接，輸出端與信號(hào)讀出模塊的第一柵調(diào)制NMOS管(2)的漏端相接。

2.如權(quán)利要求1所述的一種新型柵調(diào)制讀出電路結(jié)構(gòu)，其特征是：所述暗單元直流偏置電路(8)和傳感器直流偏置電路(1)為同結(jié)構(gòu)電路，具有相同的特性。

3.如權(quán)利要求1所述的一種新型柵調(diào)制讀出電路結(jié)構(gòu)，其特征是：所述暗單元(7)和傳感器(6)具有相同的特性，使得直流偏置消除模塊的第二柵調(diào)制NMOS管(9)和信號(hào)讀出模塊的第一柵調(diào)制NMOS管(2)具有一樣的直流工作狀態(tài)。

4.如權(quán)利要求1所述的一種新型柵調(diào)制讀出電路結(jié)構(gòu)，其特征是：所述電流鏡(5)由PMOS管組成。

5.如權(quán)利要求1所述的一種新型柵調(diào)制讀出電路結(jié)構(gòu)，其特征是：所述復(fù)位開關(guān)(4)采用CMOS開關(guān)，所述復(fù)位開關(guān)由CMOS傳輸門實(shí)現(xiàn)，以消除電荷注入和時(shí)鐘饋通效應(yīng)。

6.如權(quán)利要求1所述的一種新型柵調(diào)制讀出電路結(jié)構(gòu)，其特征是：所述復(fù)位開關(guān)(4)的控制端接時(shí)鐘信號(hào)CLK，反相控制端接反相時(shí)鐘信號(hào)