[發明專利]存儲器及其操作方法

有效

• 申請號: 201110211551.9
• 申請日: 2011-07-27
• 公開（公告）號: CN102339644A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 袁慶鵬
• 申請（專利權）人: 聚辰半導體（上海）有限公司
• 主分類號: G11C16/24
• 分類號: G11C16/24;H01L27/115
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種存儲器包括：至少一個制做于半導體襯底上的存儲陣列；每個存儲陣列包括一條頁控制線、多個頁控制管、多條字線、多條位線及多個頁，頁按行排列并包含多個字節連接到一頁控制管，每一頁控制管的漏極接到一頁控制線上，每一頁控制管的柵極連接到一字線上；每個字節包含至少一個存儲單元；

所述存儲陣列還包括多個源極控制器件及多條源極線，源極控制器件為源極線提供預設偏置或浮置電位，每條源極線連接到存儲陣列同一字節段的所有字節上；

其中，每個存儲單元包含一個存儲管和一個位選管但無阱偏置；存儲管的源極連接到同一字節段的源極線，存儲管的柵極連接同一行頁控制管的源極，存儲管的漏極連接本存儲單元位選管的源極；位選管的柵極連接同一行頁控制管的柵極及字線，位選管的漏極連接位線，位線連接存儲陣列同一列中所有存儲單元。

2.如權利要求1所述的存儲器，所述源極控制器件包括一個源極控制晶體管，其漏極接同一字節段的源極線，源極接零電位，柵極連接一源極控制線。

3.如權利要求1所述的存儲器，所述半導體襯底為P型。

4.如權利要求1所述的存儲器，所述存儲管為N溝道浮柵遂穿晶體管。

5.如權利要求1所述的存儲器，所述位選管為垂直疊柵結構。

6.如權利要求1所述的存儲器，所述各頁控制管、存儲管、位選管都是N型溝道器件。

7.如權利要求1所述的存儲器，所述預設偏置為接近于零的電位。

8.如權利要求1所述的存儲器，每個字節包含的存儲單元數為8。

9.一種擦除如權利要求2所述的存儲器的字節的方法，包括：

選取一頁上至少一個字節來擦除；

在頁控制線上施加一個開啟電壓；

在源極控制線上施加一個關斷電壓來關斷所有源極控制管，使各條源極線為浮置電位；

在與被選字節在同一行的頁控制管和所有位選管的柵極施加一個開啟電壓；

在與被選字節不在同一行的頁控制管和所有位選管的柵極施加一個關斷電壓；

在被選字節對應的各條位線上施加一個關斷電壓；

在未選字節對應的各條位線上施加一個開啟電壓。

10.一種編寫如權利要求2所述的存儲器的字節的方法，包括：

選取一頁上至少一個字節來編寫；

在頁控制線上施加零電位；

在源極控制線上施加一個關斷電壓來關斷所有源極控制管，使各條源極線為浮置電位；

在與被選字節在同一行的頁控制管和所有位選管的柵極施加一個開啟電壓；

在與被選字節不在同一行的頁控制管和所有位選管的柵極施加一個關斷電壓；

在被選字節對應的各條位線上施加一個對應編寫數據的適合電壓；

在未選字節對應的各條位線上施加一個關斷電壓。

11.一種讀取如權利要求2所述的存儲器的字節的方法，包括：

選取一頁上至少一個字節來讀?。?/p>

在頁控制線上施加敏感電壓；

在源極控制線上施加一個開啟電壓來使各條源極線為零電位；

在與被選字節在同一行的頁控制管和所有位選管的柵極施加一個選擇電壓；

在與被選字節不在同一行的頁控制管和所有位選管的柵極施加一個關斷電壓；

在被選字節對應的各條位線上施加一個讀取電壓；

在未選字節對應的各條位線上施加一個浮置電位。