[發(fā)明專利]濺射用于基于碲化鎘的光伏器件的RTB薄膜的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110211399.4
• 申請日: 2011-06-30
• 公開（公告）號(hào): CN102312190A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: P·L·奧基夫
• 申請（專利權(quán)）人: 初星太陽能公司
• 主分類號(hào): C23C14/06
• 分類號(hào): C23C14/06;C23C14/34;C30B29/48;C30B23/00;H01L31/0296;H01L31/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 柯廣華;朱海煜

1.一種用于在襯底(12)上沉積電阻透明緩沖薄膜層(16)的方法，所述方法包括：

在按照體積包括約0.01％到約5％的水蒸氣的濺射氣氛中，在約10℃到約100℃的濺射溫度將電阻透明緩沖層(16)濺射在襯底(12)上；以及

在約450℃到約700℃的退火溫度退火所述電阻透明緩沖層(16)。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述濺射氣氛按照體積包括約0.05％到約1％的水蒸氣。

3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中從包括鋅、錫或其混合物的靶來濺射所述電阻透明緩沖層。

4.如任一前面的權(quán)利要求所述的方法，其中所述襯底上形成的所述電阻透明緩沖層包括氧化鋅錫。

5.如任一前面的權(quán)利要求所述的方法，其中所述濺射氣氛還包括氧。

6.如任一前面的權(quán)利要求所述的方法，其中所述濺射氣氛包括約1％到約25％的氧。

7.如任一前面的權(quán)利要求所述的方法，其中所述電阻透明緩沖層(16)上或內(nèi)沉積的任何水分子在退火期間從所述電阻透明緩沖層(16)蒸發(fā)出去。

8.如任一前面的權(quán)利要求所述的方法，其中所述電阻透明緩沖層對于約5分鐘到約5小時(shí)進(jìn)行退火，優(yōu)選是對于約15分鐘到約1小時(shí)。

9.如任一前面的權(quán)利要求所述的方法，其中所述電阻透明緩沖層(16)濺射到襯底(12)上的導(dǎo)電透明氧化層(14)上。

10.一種制造鎘薄膜光伏器件的方法，所述方法包括：

根據(jù)任一前面的權(quán)利要求，將電阻透明緩沖薄膜層(16)沉積在襯底(12)上；

在所述電阻透明緩沖層上形成硫化鎘層；以及

在所述硫化鎘層上形成碲化鎘層。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括：

在濺射所述電阻透明緩沖層(16)之前、在所述襯底(12)上形成導(dǎo)電透明氧化層(14)。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述電阻透明緩沖層(16)具有約0.075μm和約1μm的厚度。