[發(fā)明專(zhuān)利]一種化學(xué)機(jī)械研磨方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110211074.6 | 申請(qǐng)日: | 2011-07-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102623327A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄧武鋒 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/3105 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/3105;H01L21/02;B24B37/04 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 201203 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 化學(xué) 機(jī)械 研磨 方法 | ||
1.一種化學(xué)機(jī)械研磨方法,包括如下步驟:
提供形成有介質(zhì)層的半導(dǎo)體襯底;
對(duì)介質(zhì)層進(jìn)行第一次研磨,所述第一次研磨后在介質(zhì)層表面產(chǎn)生有機(jī)物殘留;
用堿性試劑對(duì)介質(zhì)層進(jìn)行第二次研磨,去除介質(zhì)層表面的有機(jī)物殘留。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于,所述堿性試劑包括研磨顆粒、清洗劑、螯合劑、防腐蝕化合物以及表面活性劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于,所述研磨顆粒占所述堿性試劑的質(zhì)量百分比為1%-15%、所述清洗劑占所述堿性試劑的質(zhì)量百分比為0.1%-5%、所述螯合劑占所述堿性試劑的質(zhì)量百分比為0.01%-2%、所述防腐蝕化合物占所述堿性試劑的質(zhì)量百分比為0.01%-2%、所述表面活性劑占所述堿性試劑的質(zhì)量百分比為0.01%-1%。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于,所述研磨顆粒是膠狀二氧化硅或碳化硅或氮化硅或氧化鋁或二氧化鈰,所述研磨顆粒的直徑為35~90nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于,所述清洗劑所含成分為氫氧化銨或氫氧化四烴基銨。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于,所述螯合劑所含成分為檸檬酸銨或草酸銨。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于,所述防腐蝕化合物的成分為乙酰氨基酚或甲氧苯酚。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于,所述表面活性劑所含的成分為聚氧乙烯或聚丙烯。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于,所述堿性試劑的PH值在8-10之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于,所述第一次研磨時(shí),研磨頭的壓力在0.85psi到1.8psi之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于,所述第二次研磨時(shí),研磨頭的壓力在0.5psi到0.7psi之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于,所述介質(zhì)層是低K介質(zhì)層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于,所述低K介質(zhì)層的介電常數(shù)K小于3。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于,所述第一次研磨采用的是氧化物研磨液。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械研磨方法,其特征在于,在用堿性試劑介質(zhì)層進(jìn)行第二次研磨的步驟后還包括如下步驟:
使用去離子水對(duì)研磨墊進(jìn)行清洗;
使用去離子水對(duì)所述晶圓進(jìn)行清洗。
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H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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