[發(fā)明專(zhuān)利]IC工藝中降低熱中子軟錯(cuò)誤率的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110210811.0
• 申請(qǐng)日: 2011-07-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102610610A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李永輝;蔡超杰;吳佳芳;曲維正
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/092
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/092;H01L21/02;H01L21/8238
• 代理公司: 北京德恒律師事務(wù)所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種集成電路，包括：

襯底層；

金屬層；

保護(hù)層，位于所述金屬層以上，并且與所述金屬層物理接觸，其中，所述保護(hù)層包括熱中子吸收材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述保護(hù)層包括含有熱中子吸收材料的鈍化層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述鈍化層包括含有熱中子吸收材料的聚酰亞胺層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述保護(hù)層由包括含有熱中子吸收材料的氧化層和聚酰亞胺層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述保護(hù)層包括多個(gè)子層，在所述子層中的至少一個(gè)子層包括額外的熱中子吸收材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路，其中，所述保護(hù)層包括子層，所述子層包括：

第一聚酰亞胺子層，位于所述金屬層上；

氧化物子層，位于所述第一聚酰亞胺子層上方；

第二聚酰亞胺子層，位于所述氧化物子層上方；并且

其中，所述子層中的至少一個(gè)包括額外的熱中子吸收材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路，其中，所述保護(hù)層包括子層，所述子層包括：

第一聚酰亞胺子層，位于所述金屬層上；

屏蔽金屬子層，位于所述第一聚酰亞胺子層上方；

氧化物子層，位于所述屏蔽金屬子層上方；

第二聚酰亞胺子層，位于所述氧化物子層上方；并且

其中，至少一個(gè)所述子層包括額外的熱中子吸收材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路，其中，包括所述熱中子吸收材料的所述保護(hù)層通過(guò)將所述熱中子吸收材料注入到所述氧化層中而形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路，其中，包括所述熱中子吸收材料的所述保護(hù)層通過(guò)化學(xué)汽相沉積CVD形成。

10.一種形成用于集成電路的熱中子吸收層的方法，包括：

形成包括頂部金屬層的集成電路；

形成與所述頂部金屬層接觸的保護(hù)層；并且

向保護(hù)層添加熱中子吸收材料。