[發(fā)明專利]用于減少蝕刻殘留物的結構有效

申請?zhí)枺?/td>	201110210784.7	申請日：	2011-07-26
公開（公告）號：	CN102479758A	公開（公告）日：	2012-05-30
發(fā)明（設計）人：	于宗源;陳憲偉;楊宗穎	申請（專利權）人：	臺灣積體電路制造股份有限公司
主分類號：	H01L23/31	分類號：	H01L23/31;H01L27/02;H01L21/56
代理公司：	北京德恒律師事務所 11306	代理人：	陸鑫;高雪琴
地址：	中國臺***	國省代碼：	中國臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	用于減少蝕刻殘留物結構
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【說明書】：

技術領域

本發(fā)明基本上涉及半導體器件，更具體地來說，涉及用于減少蝕刻殘留物的結構。

背景技術

在半導體工藝中，通常要在半導體晶圓上制造集成電路。在通過切割半導體晶圓將多個集成電路分隔開之前，半導體晶圓經(jīng)過了許多工藝步驟。這些工藝步驟可以包括光刻、蝕刻、摻雜以及沉積不同材料。

蝕刻是一種工藝步驟，通過該工藝步驟可以將一層或者多層從晶圓上移除。蝕刻包括兩種類型：濕式蝕刻和干式蝕刻。濕式蝕刻是一種利用液體化學品移除晶圓頂部上方材料的蝕刻工藝。另一方面，干式蝕刻是利用等離子體或者反應氣體從晶圓上移除材料的蝕刻工藝。通常，在蝕刻工藝完成之前，半導體晶圓會經(jīng)過許多蝕刻步驟。這些蝕刻步驟包括氮化物蝕刻、聚蝕刻、間隔蝕刻、接觸蝕刻、通孔蝕刻、金屬蝕刻等等。

蝕刻工藝中的主要缺陷是蝕刻后殘留物。由不完全蝕刻層形成的蝕刻島可能會造成質量問題。例如，成塊(blocked)蝕刻金屬島會在兩個相鄰金屬結構之間造成短路。隨著由晶圓制造出的管芯數(shù)量盡可能最大化的趨勢，這個問題變得愈發(fā)復雜。為了將生產率最大化，半導體管芯的物理尺寸進一步減小，從而使得一枚晶圓上能夠容納更多半導體管芯。然而，管芯尺寸的減小會導致半導體管芯中的兩個相鄰金屬結構更加靠近。因此，諸如成塊蝕刻金屬島的相對較大的蝕刻殘留物很有可能會造成鄰近成塊刻金屬島的兩個金屬結構之間的短路。

一種用于防止相鄰結構之間發(fā)生短路的傳統(tǒng)方法基于調整兩個相鄰結構的寬度。一個實例是，利用密封環(huán)結構來減小在晶圓切割工藝期間所產生的應力。為了防止蝕刻產生諸如不完全蝕刻的殘留物的缺陷，需減小密封環(huán)的寬度。然而，具有狹窄結構的密封環(huán)無法保護集成電路免受晶圓切割工藝期間所產生的橫向應力的影響。

發(fā)明內容

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種電容器結構、多層電容器以及形成電容器結構的方法。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種結構。

根據(jù)本發(fā)明的該結構包括：第一溝槽，被定向為具有第一方向上的第一軸；第二溝槽，被定向為具有第二方向上的第二軸，第二方向與第一方向形成銳角；第三溝槽，與第一溝槽和第二溝槽相連接，第三溝槽在垂直于第一方向的方向上延伸，并且與第二溝槽相交；以及填充元件，形成在由第一溝槽、第二溝槽和第三溝槽形成的相交區(qū)域中。

其中，填充元件的形狀選自由梯形、方形、多個方形、圓形、以及多個圓形構成的組。

其中，第一溝槽包括在第三方向上延伸的延伸溝槽，延伸溝槽在轉向點上從第一溝槽延伸，并且，其中：轉向點與第三溝槽之間的距離等于或者大于第一溝槽的寬度。

其中，第三溝槽的長度等于或者大于第一溝槽的寬度。

其中，第一溝槽的寬度處于0.032μm和1.18μm之間的范圍內。

其中，第一溝槽、第二溝槽、以及第三溝槽的寬度相同。

其中，第一溝槽、第二溝槽、以及第三溝槽形成梯形轉角。

其中，第一溝槽、第二溝槽、以及第三溝槽形成密封環(huán)的至少一部分。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種半導體器件。

根據(jù)本發(fā)明的半導體器材包括：密封環(huán)結構；以及

集成電路管芯，由密封環(huán)結構包圍；

其中，密封環(huán)結構包括：第一溝槽，被定向為具有第一方向上的第一軸；第二溝槽，被定向為具有第二方向上的第二軸，第二方向與第一方向形成銳角；以及第三溝槽，與第一溝槽和第二溝槽相連接，第三溝槽在垂直于第一方向的方向上延伸，并且與第二溝槽相交。

該半導體器材進一步包括：一個填充元件，形成在第一溝槽、第二溝槽和第三溝槽形成的相交區(qū)域中，其中，填充元件的形狀為直角三角形，連接到第二溝槽的側壁。