[發明專利]發光二極管光源裝置有效
| 申請號: | 201110210604.5 | 申請日: | 2011-07-26 |
| 公開(公告)號: | CN102903829A | 公開(公告)日: | 2013-01-30 |
| 發明(設計)人: | 林厚德;張超雄 | 申請(專利權)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;榮創能源科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/50 | 分類號: | H01L33/50;H01L25/075 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 光源 裝置 | ||
1.一種發光二極管光源裝置,其包括基座、設于基座上的第一發光二極管芯片與第二發光二極管芯片、及一熒光粉層,該熒光粉層設置在遮擋所述第一發光二極管芯片及第二發光二極管芯片的出光方向上,其特征在于:該第一發光二極管芯片為紫外光發光二極管芯片,該熒光粉層內分布有若干熒光粉顆粒,各熒光粉顆粒的外周面包覆一層鹵化銀,當第二發光二極管芯片導通而第一發光二極管芯片非導通時,第二發光二極管芯片激發熒光粉層發光而產生一種色溫;當第一發光二極管芯片與第一發光二極管芯片同時發光時,各熒光粉顆粒外周面的鹵化銀被第一發光二極管照射分解出銀原子而擋設于熒光粉顆粒周圍,該第二發光二極管芯片激發熒光粉層發光而產生另一種色溫。
2.如權利要求1所述的發光二極管光源裝置,其特征在于:當第一發光二極管芯片與第一發光二極管芯片同時發光時,改變第一發光二極管芯片的發光強度來控制鹵化銀分解出的銀原子的數量,從而調節該第二發光二極管芯片激發熒光粉層發光而產生的色溫。
3.如權利要求1所述的發光二極管光源裝置,其特征在于:所述鹵化銀中設有氧化銅,當第一發光二極管芯片由導通至關閉時,所述熒光粉顆粒周圍的銀原子與鹵素原子在氧化銅的催化作用下重新結合成鹵化銀,所述發光二極管光源裝置返回至只有第二發光二極管導通時的色溫狀態。
4.如權利要求2所述的發光二極管光源裝置,其特征在于:所述鹵化銀中設有氧化銅,當第一發光二極管芯片的發光強度降低時,鹵化銀分解出的銀原子的數量減少,熒光粉顆粒被第二發光二極管芯片激發的面積增大,所述第二發光二極管芯片激發熒光粉層發光而產生的色溫降低;當第一發光二極管芯片的發光強度升高時,鹵化銀分解出的銀原子的數量增加,熒光粉顆粒被第二發光二極管芯片激發的面積減小,所述第二發光二極管芯片激發熒光粉層發光而產生的色溫提高。
5.如權利要求1至4任何一項所述的發光二極管光源裝置,其特征在于:該熒光粉層由摻雜有熒光粉的封膠樹脂制成。
6.如權利要求1所述的發光二極管光源裝置,其特征在于:所述熒光粉顆粒均勻分布于熒光粉層中。
7.如權利要求1所述的發光二極管光源裝置,其特征在于:所述基座上設有一容置槽,該容置槽的內表面為傾斜面,該傾斜面自基座頂面向基座底面方向延伸并向第一發光二極管芯片及第二發光二極管芯片的方向傾斜,容置槽的內表面還涂敷有反光材料。
8.如權利要求1所述的發光二極管光源裝置,其特征在于:所述第一發光二極管芯片與第二發光二極管芯片可各自控制其開關及電流的大小。
9.如權利要求8所述的發光二極管光源裝置,其特征在于:所述基座底面上設置有相互間隔的第一電極、第二電極及第三電極,所述第一發光二極管芯片與第一電極及第三電極連接,所述第二發光二極管芯片與第二電極及第三電極連接。
10.如權利要求1所述的發光二極管光源裝置,其特征在于:所述第二發光二極管芯片為藍光二極管芯片,所述熒光粉層為黃色的熒光粉。
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