[發(fā)明專利]一種前饋式微波天線有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110210421.3 | 申請(qǐng)日: | 2011-07-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102904043A | 公開(公告)日: | 2013-01-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉若鵬;季春霖;岳玉濤;尹小明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01Q15/00 | 分類號(hào): | H01Q15/00;H01Q15/23;H01Q19/06;H01Q19/10 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 式微 天線 | ||
1.一種前饋式微波天線,其特征在于,包括:輻射源、用于將所述輻射源發(fā)射的電磁波發(fā)散的第一超材料面板、第二超材料面板以及貼附于所述第二超材料面板背部的反射面板,電磁波經(jīng)過(guò)所述第一超材料面板被發(fā)散后進(jìn)入所述第二超材料面板產(chǎn)生折射并被所述反射面板反射后再次進(jìn)入所述第二超材料面板再次發(fā)生折射并最終平行出射;所述第一超材料面板包括第一基材及周期排布于所述第一基材中的多個(gè)第三人造孔結(jié)構(gòu),所述每個(gè)第三人造孔結(jié)構(gòu)和其所占的部分第一基材構(gòu)成了所述第一超材料面板的基本單元;所述第二超材料面板包括核心層,所述核心層包括多個(gè)具有相同折射率分布的核心超材料片層,每一核心超材料片層包括一個(gè)圓形區(qū)域和與所述圓形區(qū)域同心的多個(gè)環(huán)形區(qū)域,所述圓形區(qū)域和所述環(huán)形區(qū)域內(nèi)折射率變化范圍相同,均隨著半徑的增大從np連續(xù)減小到n0且相同半徑處的折射率相同;所述核心超材料片層包括基材及周期排布于所述核心超材料片層基材中的多個(gè)第一人造孔結(jié)構(gòu),所述每個(gè)第一人造孔結(jié)構(gòu)和其所占的部分核心超材料片層基材構(gòu)成了所述核心超材料片層的基本單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的前饋式微波天線,其特征在于,所述第二超材料面板還包括對(duì)稱設(shè)置于所述核心層兩側(cè)的第一漸變超材料片層至第N漸變超材料片層,其中對(duì)稱設(shè)置的兩層第N漸變超材料片層均靠近所述核心層;每一漸變超材料片層均包括一個(gè)圓形區(qū)域和與所述圓形區(qū)域同心的多個(gè)環(huán)形區(qū)域,每一漸變超材料片層對(duì)應(yīng)的所述圓形區(qū)域和所述環(huán)形區(qū)域內(nèi)的折射率變化范圍均相同且隨著半徑的增大從其最大折射率連續(xù)減小到n0,相同半徑處的折射率相同,兩個(gè)相鄰的漸變超材料片層的最大折射率表示為ni和ni+1,其中n0<ni<ni+1<np,i為正整數(shù),ni對(duì)應(yīng)于距離所述核心層較遠(yuǎn)的漸變超材料片層的最大折射率值;所述每一漸變超材料片層包括基材以及周期排布于所述基材表面的多個(gè)第二人造孔結(jié)構(gòu),所述每個(gè)第二人造孔結(jié)構(gòu)和其所占的部分漸變超材料片層基材構(gòu)成了所述漸變超材料片層的基本單元;全部的漸變超材料片層和全部的核心超材料片層構(gòu)成了所述第二超材料面板的功能層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的前饋式微波天線,其特征在于,所述第二超材料面板還包括對(duì)稱設(shè)置于所述功能層兩側(cè)的第一匹配層至第M匹配層,其中對(duì)稱設(shè)置的兩層第M匹配層均靠近所述第一漸變超材料片層;每一匹配層折射率分布均勻,靠近自由空間的所述第一匹配層折射率大致等于自由空間折射率,靠近所述第一漸變超材料片層的第M匹配層折射率大致等于所述第一漸變超材料片層最小折射率n0。
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