[發明專利]一種后饋式微波天線

有效

• 申請號: 201110210398.8
• 申請日: 2011-07-26
• 公開（公告）號: CN102904041A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 劉若鵬;季春霖;岳玉濤;尹小明
• 申請（專利權）人: 深圳光啟高等理工研究院;深圳光啟創新技術有限公司
• 主分類號: H01Q15/00
• 分類號: H01Q15/00;H01Q15/02;H01Q19/06
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• 代理人: 暫無信息

1.一種后饋式微波天線，其特征在于，包括：輻射源、用于將所述輻射源發射的電磁波發散的第一超材料面板、具有電磁波匯聚功能并用于將所述第一超材料面板發散出來的電磁波轉換為平面波的第二超材料面板；所述第一超材料面板包括第一基材及周期排布于所述第一基材中的多個第三人造孔結構，所述每個第三人造孔結構和其所占的部分第一基材構成了所述第一超材料面板的基本單元；所述第二超材料面板包括核心層，所述核心層包括多個具有相同折射率分布的核心超材料片層，每一核心超材料片層包括一個圓形區域和與所述圓形區域同心的多個環形區域，所述圓形區域和所述環形區域內折射率變化范圍相同，均隨著半徑的增大從n_p連續減小到n₀且相同半徑處的折射率相同；所述核心超材料片層包括基材及周期排布于所述核心超材料片層基材中的多個第一人造孔結構，所述每個第一人造孔結構和其所占的部分核心超材料片層基材構成了所述核心超材料片層的基本單元。

2.根據權利要求1所述的后饋式微波天線，其特征在于，所述第二超材料面板還包括對稱設置于所述核心層兩側的第一漸變超材料片層至第N漸變超材料片層，其中對稱設置的兩層第N漸變超材料片層均靠近所述核心層；每一漸變超材料片層均包括一個圓形區域和與所述圓形區域同心的多個環形區域，每一漸變超材料片層對應的所述圓形區域和所述環形區域內的折射率變化范圍均相同且隨著半徑的增大從其最大折射率連續減小到n₀，相同半徑處的折射率相同，兩個相鄰的漸變超材料片層的最大折射率表示為n_i和n_i+1，其中n₀＜n_i＜n_i+1＜n_p，i為正整數，n_i對應于距離所述核心層較遠的漸變超材料片層的最大折射率值；所述每一漸變超材料片層包括基材以及周期排布于所述基材表面的多個第二人造孔結構，所述每個第二人造孔結構和其所占的部分漸變超材料片層基材構成了所述漸變超材料片層的基本單元；全部的漸變超材料片層和全部的核心超材料片層構成了所述第二超材料面板的功能層。

3.根據權利要求2所述的后饋式微波天線，其特征在于，所述第二超材料面板還包括對稱設置于所述功能層兩側的第一匹配層至第M匹配層，其中對稱設置的兩層第M匹配層均靠近所述第一漸變超材料片層；每一匹配層折射率分布均勻，靠近自由空間的所述第一匹配層折射率大致等于自由空間折射率，靠近所述第一漸變超材料片層的第M匹配層折射率大致等于所述第一漸變超材料片層最小折射率n₀。