[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110210216.7 | 申請(qǐng)日： | 2011-07-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102347415A | 公開（公告）日： | 2012-02-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 裴德圭 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | THELEDS株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/38 | 分類號(hào)： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人： | 許向彤;林錦輝 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 發(fā)光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：
導(dǎo)電基底；
布置在所述導(dǎo)電基底上的p型電極；
布置在所述p型電極上的透明電極層；
發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括順序地層疊在所述透明電極層上的p型半導(dǎo)體層、有源層、和n型半導(dǎo)體層；以及
布置在所述n型半導(dǎo)體層上的n型電極，
其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)布置在所述透明電極層的上中部，從而使所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)面與所述透明電極層的邊緣分離開；以及
所述透明電極層在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的外部具有不平表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述透明電極層中的在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的外部處的厚度小于所述透明電極層中的在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的下部處的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述p型電極在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的下部具有高臺(tái)階部，以及在所述高臺(tái)階部的兩側(cè)具有低臺(tái)階部，并且所述透明電極層布置在所述低臺(tái)階部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述p型電極的所述高臺(tái)階部接觸所述p型半導(dǎo)體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)相對(duì)于所述導(dǎo)電基底具有傾斜側(cè)面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的寬度朝著所述n型電極漸窄。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，還包括鈍化層以覆蓋所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述鈍化層布置為覆蓋所述透明電極層的不平部分。
9.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，該方法包括：
通過在半導(dǎo)體基底上順序地生長n型半導(dǎo)體層、有源層以及p型半導(dǎo)體層來形成發(fā)光結(jié)構(gòu)；
在所述p型半導(dǎo)體層上形成透明電極層；
在所述透明電極層上形成p型電極；
在所述p型電極上附著導(dǎo)電基底；
在附著所述導(dǎo)電基底后去掉所述半導(dǎo)體基底；
去掉所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的除中部之外的其余區(qū)域，從而使所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的側(cè)面與所述透明電極層的邊緣分離開，并在所述透明電極層中形成所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的不平的外部表面；以及
在n型半導(dǎo)體層上形成n型電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，去掉所述其余區(qū)域和形成所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的不平的外部表面包括：
通過干刻去掉所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的除中部之外的其余區(qū)域；以及
在去掉所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的除中部之外的其余區(qū)域之后，通過原位干刻在所述透明電極層中形成所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的不平的外部表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，去掉所述其余區(qū)域和形成所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的不平的外部表面包括：
通過干刻去掉所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的除中部之外的其余區(qū)域；以及
通過濕刻在所述透明電極層中形成所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的不平的外部表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，形成所述p型電極包括：
通過在所述透明電極層中去掉與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的中部相對(duì)應(yīng)的部分形成凹槽；以及
在具有所述凹槽的所述透明電極層的整個(gè)表面上形成金屬層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述凹槽形成為露出所述p型半導(dǎo)體層。
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