[發(fā)明專利]抗刻蝕層、半導(dǎo)體處理裝置及制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110210146.5
• 申請日: 2011-07-26
• 公開（公告）號: CN102260855A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賀小明;倪圖強(qiáng);萬磊;楊平
• 申請（專利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/00
• 分類號: C23C16/00;C23C30/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導(dǎo)體處理裝置，包括處理腔室，所述處理腔室用于通入源氣體，對放置于處理腔室內(nèi)的基片進(jìn)行相應(yīng)處理，且所述處理腔室還用于容納等離子體，所述處理腔室內(nèi)具有多個處理部件，其特征在于，還包括：

抗刻蝕層，覆蓋于所述處理腔室和/或處理部件的暴露于等離子體的表面，所述抗刻蝕層用于抵抗等離子體的刻蝕和保護(hù)所述處理腔室和/或處理部件，所述抗刻蝕層的材質(zhì)為陶瓷材質(zhì)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述陶瓷材質(zhì)為Y₂O₃、Al₂O₃、YAG、YF₃、Er₂O₃、Gd₂O₃、RhO₂、Ir₂O₃、ZrO₂、AlN、SiC、Si₃N₄中的一種或者其中的組合。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述處理腔室和/或所述處理部件的材質(zhì)與所述抗刻蝕層的材質(zhì)相同或者不相同。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體處理裝置為MOCVD設(shè)備、等離子體刻蝕設(shè)備或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備。

5.一種半導(dǎo)體處理裝置的制作方法，包括：

提供處理腔室或處理部件，所述處理腔室用于通入源氣體，對放置于處理腔室內(nèi)的基片進(jìn)行相應(yīng)處理，所述處理腔室還用于容納等離子體和所述處理部件；

其特征在于，還包括：

在所述處理腔室和/或所述處理部件的暴露于等離子體的表面形成抗刻蝕層，所述抗刻蝕層用于抵抗等離子體刻蝕和保護(hù)所述處理腔室和/或處理部件，所述抗刻蝕層的材質(zhì)為陶瓷材質(zhì)。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體處理裝置的制作方法，其特征在于，所述陶瓷材質(zhì)為Y₂O₃、Al₂O₃、YAG、YF₃、Er₂O₃、Gd₂O₃、RuO₂、Ir₂O₃、ZrO₂、AlN、SiC、Si₃N₄中的一種或者其中的組合。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體處理裝置的制作方法，其特征在于，所述處理腔室和/或所述處理部件的材質(zhì)與所述抗刻蝕層的材質(zhì)相同或者不相同。

8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體處理裝置的制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體處理裝置為MOCVD設(shè)備、等離子體刻蝕設(shè)備或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備。

9.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體處理裝置的制作方法，其特征在于，所述抗刻蝕層的制作方法為等離子體噴涂工藝、化學(xué)氣相沉積工藝、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝、物理氣相沉積工藝、化學(xué)溶膠凝膠工藝、化學(xué)濕法涂層工藝或者其中的組合。

10.一種抗刻蝕層，用于抵抗等離子體刻蝕，其特征在于，所述抗刻蝕層的材質(zhì)為陶瓷材質(zhì)，所述陶瓷材質(zhì)為Y₂O₃、Al₂O₃、YAG、YF₃、Er₂O₃、Gd₂O₃、RuO₂、Ir₂O₃、ZrO₂、AlN、SiC、Si₃N₄中的一種或者其中的組合。

11.如權(quán)利要求10所述的抗刻蝕層，其特征在于，所述抗刻蝕層制作方法為等離子體噴涂工藝、化學(xué)氣相沉積工藝、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝、物理氣相沉積工藝、化學(xué)溶膠凝膠工藝、化學(xué)濕法涂層工藝或者其中的組合。