[發明專利]提高硅襯底上藍綠光LED出光效率的方法有效
| 申請號： | 201110209552.X | 申請日： | 2011-07-26 |
| 公開（公告）號： | CN102270711A | 公開（公告）日： | 2011-12-07 |
| 發明（設計）人： | 秦海濱;張志成;郭強;張彥偉 | 申請（專利權）人： | 山西天能科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 太原高欣科創專利代理事務所(普通合伙) 14109 | 代理人： | 崔雪花 |
| 地址： | 030006 山*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 襯底 藍綠 led 效率 方法 | ||
【權利要求書】：
1.提高硅襯底上藍綠光LED出光效率的方法，其特征在于：按以下步驟進行：
第一步、用SiO2作為襯底的底層，SiO2層(3)的厚度的計算公式為：其中：λ為藍綠光的波長，n2為SiO2的折射率，k為整數。
第二步、用Si作為襯底的第二層，Si層(2)的厚度的計算公式為：其中：λ為藍綠光的波長，n1為Si的折射率，k為整數。
第三步：在Si層上生長GaN層(1)。
2.根據權利要求1所述的提高硅襯底上藍綠光LED出光效率的方法，其特征在于：所述的SiO2層(3)和Si層(2)均為多層，多層SiO2層(3)和多層Si層(2)間隔設置，最底層為SiO2層(3)，最頂層為Si層(2)，GaN層(1)設置在最頂層的Si層上方。
3.根據權利要求1或2所述的提高硅襯底上藍綠光LED出光效率的方法，其特征在于：所述Si層(2)的最小厚度為77.485nm～84.795nm，所述SiO2層(3)的最小厚度為172.078nm～188.312nm。
4.根據權利要求3所述的提高硅襯底上藍綠光LED出光效率的方法，其特征在于：所述Si層(2)的最小厚度為80.409nm，所述SiO2層(3)的最小厚度為178.571nm。
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