[發明專利]發光二極管元件

有效

• 申請號: 201110209447.6
• 申請日: 2011-07-25
• 公開（公告）號: CN102903809A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 陳吉興;陳怡名;許嘉良
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/38
• 代理公司: 上海波拓知識產權代理有限公司 31264
• 代理人: 楊波

1.一種發光二極管元件，其特征在于：所述發光二極管元件包括導電成長基板、半導體磊晶疊層、第一電極和第二電極，所述導電成長基板上表面具有第一區域和第二區域；所述半導體磊晶疊層位于所述導電成長基板的所述第一區域上；所述半導體磊晶疊層包括反射層、具有第一導電特性的第一半導體層、活性層和具有第二導電特性的第二半導體層；所述反射層位于所述第一區域上；所述第一半導體層位于所述反射層上；所述活性層位于所述第一半導體層的上面；所述第二半導體層位于所述活性層的上面；?所述第一電極位于所述第二半導體層上；所述第二電極位于所述第二區域上，通過所述導電成長基板與所述半導體磊晶疊層電性連結；所述第一電極和第二電極位于所述導電成長基板的同一側。

2.如權利要求1所述的發光二極管元件，其特征在于：所述發光二極管元件進一步包括位于所述第二區域與所述第二電極之間的疊層保留部，所述疊層保留部的材料組成包括至少與所述反射層、及/或部分所述半導體磊晶疊層、及/或所述半導體磊晶疊層相同的材料。

3.?如權利要求1所述的發光二極管元件，其特征在于：所述發光二極管元件進一步包括位于所述第二區域與所述第二電極之間的凹部，所述凹部是移除一部份所述導電成長基板所形成。

4.?如權利要求1所述的發光二極管元件，其特征在于：所述發光二極管元件進一步包括位于所述第二半導體層上的透明導電層，所述透明導電層與所述第一電極及所述第二半導體層電性連結。

5.?如權利要求1所述的發光二極管元件，其特征在于：所述反射層為布拉格反射層。

6.如權利要求5所述的發光二極管元件，其特征在于：所述反射層為由若干個第三半導體層與第四半導體層交互堆棧所形成。

7.?如權利要求6所述的發光二極管元件，其特征在于：所述第三半導體層較所述第四半導體層易于被氧化。

8.?如權利要求6所述的發光二極管元件，其特征在于：所述第三半導體層的材料是砷化鋁，及/或所述第四半導體層的材料是砷化鋁鎵、砷化鎵、磷化鋁鎵銦、磷化銦鎵之中的一種或組合。

9.?如權利要求8所述的發光二極管元件，其特征在于：所述第三半導體層的鋁含量與所述第四半導體層不同。

10.如權利要求1所述的發光二極管元件，其特征在于：所述半導體磊晶疊層進一步包括若干個孔洞，通過所述孔洞露出所述導電成長基板或部分所述反射層。

11.如權利要求1所述的發光二極管元件，其特征在于：所述發光二極管元件進一步包括鄰接所述第二區域及所述第三半導體層的氧化鋁層。

12.如權利要求1所述的發光二極管元件，其特征在于：所述發光二極管元件進一步包括圍繞所述第三半導體層的氧化鋁層。

13.如權利要求10所述的發光二極管元件，其特征在于：所述發光二極管元件進一步包括圍繞所述這些孔洞的氧化鋁層。

14.如權利要求11所述的發光二極管元件，其特征在于：所述氧化鋁層是以濕氧制程氧化部分所述第三半導體層所形成。