[發(fā)明專(zhuān)利]一種遠(yuǎn)場(chǎng)光纖消逝場(chǎng)的傳感方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110209294.5
• 申請(qǐng)日: 2011-07-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102411003A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莊須葉;羅吉;姚軍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院光電技術(shù)研究所
• 主分類(lèi)號(hào): G01N21/84
• 分類(lèi)號(hào): G01N21/84
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 梁愛(ài)榮

1.一種遠(yuǎn)場(chǎng)光纖消逝場(chǎng)的傳感方法，其特征在于，所述傳感步驟包括如下：

步驟S1：將傳感光纖敏感段懸掛于反應(yīng)池之內(nèi)，利用微納粒子修飾被測(cè)物液體，將被測(cè)物液體與微納粒子充分混合，得到微納粒子與被測(cè)物液體充分混合的懸濁液，并使微納粒子懸浮分布在被測(cè)物液體內(nèi)；

步驟S2：將含有微納粒子的被測(cè)物液體倒入反應(yīng)池裝置中的溝槽中，微納粒子通過(guò)被測(cè)物液體懸浮在傳感光纖敏感段周?chē)构饫w消逝場(chǎng)的傳感光纖的周?chē)纬晌⒓{粒子網(wǎng)絡(luò)陣列；

步驟S3：利用微納粒子的微納效應(yīng)將近場(chǎng)的消逝場(chǎng)能量傳遞到遠(yuǎn)場(chǎng)。

2.如權(quán)利要求1所述遠(yuǎn)場(chǎng)光纖消逝場(chǎng)的傳感方法，其特征在于，所述反應(yīng)池裝置制作步驟如下：

步驟S11：在長(zhǎng)方體狀的聚二甲基硅氧烷反應(yīng)池支撐部加工出一個(gè)溝槽用于盛放被測(cè)物液體，在溝槽兩端設(shè)定一個(gè)半圓柱形通道；

步驟S12：半圓柱形通道區(qū)域中的傳感光纖與反應(yīng)池支撐部用粘合劑粘合好，構(gòu)成一體結(jié)構(gòu)的傳感部。

3.如權(quán)利要求1所述遠(yuǎn)場(chǎng)光纖消逝場(chǎng)的傳感方法，其特征在于，所述溝槽為半圓柱形，半圓柱形溝槽的半徑為0.5mm-1cm。

4.如權(quán)利要求3所述遠(yuǎn)場(chǎng)光纖消逝場(chǎng)的傳感方法，其特征在于，所述半圓柱形通道的半徑為0.3mm-0.5mm，用于放置傳感光纖。

5.如權(quán)利要求1所述遠(yuǎn)場(chǎng)光纖消逝場(chǎng)的傳感方法，其特征在于，所述的微納粒子包括金屬微納粒子和介質(zhì)微納粒子。

6.如權(quán)利要求5所述遠(yuǎn)場(chǎng)光纖消逝場(chǎng)的傳感方法，其特征在于，所述金屬微納粒子和介質(zhì)微納粒子的特征尺寸控制在0.01λ-100λ，λ為入射光源的最長(zhǎng)波長(zhǎng)。

7.如權(quán)利要求5所述遠(yuǎn)場(chǎng)光纖消逝場(chǎng)的傳感方法，其特征在于，所述介質(zhì)微納粒子的折射率為0.8n-3n，n為所用傳感光纖的纖芯折射率。