[發明專利]含有多晶硅有源層的薄膜晶體管、其制造方法及陣列基板

無效

• 申請號: 201110209184.9
• 申請日: 2011-07-25
• 公開（公告）號: CN102709185A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 姜春生
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/77;H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;趙愛軍

1.一種制造含有多晶硅有源層的薄膜晶體管的方法，其特征在于，包括：

在基板上沉積非晶硅層，并對非晶硅層進行構圖，形成包括源區、漏區和溝道區的有源層；

在溝道區上方形成柵絕緣層和柵電極；

在形成了柵電極的基板上沉積誘導金屬層；

通過離子注入的方式在源區和漏區摻入雜質，離子注入時部分誘導金屬被轟擊進入源區和漏區；

去除誘導金屬層；

對摻雜后的有源層進行熱處理，以激活雜質，并使有源層在誘導金屬的作用下發生金屬誘導晶化和金屬誘導橫向晶化；

形成源電極和漏電極。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基板上沉積非晶硅層為：

在基板上沉積緩沖層，并在緩沖層上沉積非晶硅層。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

所述誘導金屬為鎳、銅、金、銀、鋁、鈷或鉻中的一種或兩種以上。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成源電極和漏電極，包括：

沉積鈍化層；

在鈍化層上形成過孔以暴露源區和漏區；

制作源電極和漏電極，源電極和漏電極通過過孔分別與源區和漏區電性連接。

5.一種制造含有多晶硅有源層的薄膜晶體管的方法，其特征在于，包括：

在基板上形成柵電極和柵絕緣層；

在柵絕緣層上沉積非晶硅層，并對非晶硅層進行構圖，形成包括源區、漏區和溝道區的有源層；

在溝道區上方形成掩膜；

在形成了掩膜的基板上沉積誘導金屬層；

通過離子注入的方式在源區和漏區摻入雜質，離子注入時部分誘導金屬被轟擊進入源區和漏區；

去除掩膜和誘導金屬層；

對摻雜后的有源層進行熱處理，以激活雜質，并使有源層在誘導金屬的作用下發生金屬誘導晶化和金屬誘導橫向晶化；

形成源電極和漏電極。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于：

所述誘導金屬為鎳、銅、金、銀、鋁、鈷或鉻中的一種或兩種以上。

7.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成源電極和漏電極，包括：

沉積源漏金屬薄膜；

對源漏金屬薄膜進行構圖，形成源電極和漏電極。

8.一種含有多晶硅有源層的薄膜晶體管，其特征在于：所述薄膜晶體管采用如權利要求1至7中任一項所述的方法制造得到。

9.一種陣列基板，其特征在于：所述陣列基板中包括有如權利要求8所述的薄膜晶體管。