[發(fā)明專利]一種晶硅表面鍍膜及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110209162.2
• 申請(qǐng)日: 2011-07-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102260857A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何晨旭;楊雷;凌振江;殷海亭;王冬松;王步峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 潤(rùn)峰電力有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/24
• 分類號(hào): C23C16/24;C23C16/34;H01L31/18
• 代理公司: 濟(jì)南圣達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221
• 代理人: 王立曉

1.一種晶硅表面鍍膜，其特征是，包括晶硅表面的第一層非晶硅層，非晶硅層上面的第二層氮化硅層和氮化硅層上面的第三層氮氧化硅層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶硅表面鍍膜，其特征是，所述的第一層非晶硅層膜厚為5～30nm，第二層氮化硅層膜厚為20～100nm，第三層氮氧化硅層膜厚為5～100nm。

3.權(quán)利要求1所述的晶硅表面鍍膜的制備方法，其特征是，步驟如下：

(1)將單晶或多晶硅片進(jìn)行表面處理；

(2)在硅片受光面進(jìn)行等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積鍍膜，先用硅烷和氫氣的混合氣體或者硅烷和氮?dú)獾幕旌蠚怏w為氣相，硅烷與氫氣或者硅烷與氮?dú)獾捏w積流量比為1∶1～10，鍍膜沉積溫度為200℃～500℃，沉積腔壓力為500～3000mTorr，沉積時(shí)間為30～400s；

(3)通入硅烷和氨氣的混合氣體作為氣相，調(diào)整硅烷和氨氣的體積流量比為1∶4～15，鍍膜沉積溫度為300～600℃，沉積腔壓力為1000～2000mTorr，在第一層非晶硅薄膜的表面上沉積出第二層氮化硅薄膜，沉積時(shí)間為200～1000s；

(4)通入硅烷和一氧化二氮的混合氣體為氣相，調(diào)整硅烷和一氧化二氮的體積流量比為1∶1～15，鍍膜沉積溫度為200～600℃，沉積腔壓力為1000～3000mTorr，在第二層氮化硅的表面沉積出最后一層氮氧化硅薄膜，沉積時(shí)間為50～1000s。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶硅表面鍍膜的制備方法，其特征是，步驟如下：

(1)將單晶或多晶硅片進(jìn)行表面處理；

(2)在硅片受光面進(jìn)行等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積鍍膜，先用硅烷和氫氣的混合氣體或者硅烷和氮?dú)獾幕旌蠚怏w為氣相，硅烷與氫氣或者硅烷與氮?dú)獾捏w積流量比為1∶2～8，鍍膜沉積溫度為250℃～350℃，沉積腔壓力為1500～2000mTorr，沉積時(shí)間為100～300s；

(3)通入硅烷和氨氣的混合氣體作為氣相，調(diào)整硅烷和氨氣的體積流量比為1∶4～15，鍍膜沉積溫度為400～500℃，沉積腔壓力為1000～2000mTorr，在第一層非晶硅薄膜的表面上沉積出第二層氮化硅薄膜，沉積時(shí)間為300～700s；

(4)通入硅烷和一氧化二氮的混合氣體為氣相，調(diào)整硅烷和一氧化二氮的體積流量比為1∶5～15，鍍膜沉積溫度為300～500℃，沉積腔壓力為1000～2000mTorr，在第二層氮化硅的表面沉積出最后一層氮氧化硅薄膜，沉積時(shí)間為100～700s。