[發明專利]選擇性發射極晶硅太陽能電池的一次性擴散工藝無效
| 申請號： | 201110209124.7 | 申請日： | 2011-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN102270701A | 公開（公告）日： | 2011-12-07 |
| 發明（設計）人： | 林濤;陳清波;馮帥臣;姚紹榮;張耀明;張茂勝 | 申請（專利權）人： | 江蘇伯樂達光伏有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 224051 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 選擇性 發射極 太陽能電池 一次性 擴散 工藝 | ||
1.一種選擇性發射極晶硅太陽能電池的一次性擴散工藝，其特征在于，包括：
在硅片上印刷硅墨；
向擴散爐內通入氧氣，使所述硅片以及所述硅墨的表面均形成二氧化硅層；
向所述擴散爐內通入三氯氧磷進行擴散，使印刷有所述硅墨的區域形成重摻雜區，在所述硅片上未印刷所述硅墨的區域形成淺摻雜區。
2.如權利要求1所述的選擇性發射極晶硅太陽能電池的一次性擴散工藝，其特征在于，向所述擴散爐內通入三氯氧磷進行擴散后，升高溫度使磷在所述硅片中進行高溫再分布。
3.如權利要求2所述的選擇性發射極晶硅太陽能電池的一次性擴散工藝，其特征在于，所述高溫再分布的時間為1000秒～3000秒，工藝溫度為850℃～950℃。
4.如權利要求2所述的選擇性發射極晶硅太陽能電池的一次性擴散工藝，其特征在于，升高溫度使磷在所述硅片中進行高溫再分布之后，進行降溫使磷在硅片中再分布。
5.如權利要求4所述的選擇性發射極晶硅太陽能電池的一次性擴散工藝，其特征在于，降溫使磷在硅片中再分布的時間為1000秒～2500秒，工藝溫度為780℃～820℃。
6.如權利要求1所述的選擇性發射極晶硅太陽能電池的一次性擴散工藝，其特征在于，將所述硅片清洗制絨后通過絲網印刷技術在所述硅片上印刷所述硅墨。
7.如權利要求1所述的選擇性發射極晶硅太陽能電池的一次性擴散工藝，其特征在于，形成所述二氧化硅層的工藝溫度為780℃～820℃，通入的氧氣流量為500立方厘米/分鐘～1000立方厘米/分鐘。
8.如權利要求1所述的選擇性發射極晶硅太陽能電池的一次性擴散工藝，其特征在于，通過氮氣將所述三氯氧磷攜入所述擴散爐，在氧氣的共同作用下進行擴散。
9.如權利要求8所述的選擇性發射極晶硅太陽能電池的一次性擴散工藝，其特征在于，所述擴散的時間為800秒～1500秒，擴散的溫度為780℃～820℃，氧氣的流量為400立方厘米/分鐘～800立方厘米/分鐘，所述小流量氮氣的流量為800立方厘米/分鐘～2500立方厘米/分鐘。
10.如權利要求9所述的選擇性發射極晶硅太陽能電池的一次性擴散工藝，其特征在于，加大氧氣的流量，在所述硅片的表面形成磷硅玻璃。
11.如權利要求10所述的選擇性發射極晶硅太陽能電池的一次性擴散工藝，其特征在于，形成所述磷硅玻璃過程的時間為500秒～1000秒，工藝溫度為780℃～820℃，氧氣的流量為6000立方厘米/分鐘～13000立方厘米/分鐘。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
