[發明專利]晶片封裝體及其形成方法

有效

• 申請號: 201110209118.1
• 申請日: 2011-07-22
• 公開（公告）號: CN102891120A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 顏裕林;陳鍵輝;劉滄宇;尤龍生
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/485;H01L21/60;H01L23/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：

一基底，具有一上表面及一下表面；

多個導電墊，位于該基底的該下表面之下；

一介電層，位于所述導電墊之間；

一溝槽，自該基底的該上表面朝該下表面延伸；

一孔洞，自該溝槽的一底部朝該基底的該下表面延伸，其中該孔洞的一側壁垂直于該基底的該下表面，且該孔洞的該側壁或一底部露出部分的所述導電墊；以及

一導電層，位于該孔洞之中且電性接觸至少一所述導電墊。

2.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，所述導電墊中的一上層導電墊具有至少一開口或溝槽，該開口或該溝槽露出所述導電墊中的一下層導電墊。

3.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，所述導電墊的至少其中之一接近該孔洞的部分的厚度朝遠離該孔洞的方向遞增。

4.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該孔洞的底部露出所述導電墊的至少其中之一的上表面。

5.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該孔洞的側壁露出所述導電墊的至少其中之一的側邊。

6.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一間隔層，設置于所述導電墊之下，其中該孔洞進一步延伸至該間隔層之中。

7.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一光電元件，形成于該基底之中。

8.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一第二基底，設置于該基底的該下表面之下與所述導電墊之下。

9.根據權利要求8所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一光電元件，形成于該第二基底之中。

10.根據權利要求8所述的晶片封裝體，其特征在于，該孔洞進一步延伸至該第二基底之中。

11.根據權利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一絕緣層，位于該導電層與該第二基底之間。

12.根據權利要求8所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一間隔層，設置于所述第二基底之下，其中該孔洞進一步延伸至該間隔層之中。

13.根據權利要求12所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一絕緣層，位于該導電層與該第二基底之間，且位于該導電層與該間隔層之間。

14.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一防焊層，位于該導電層之上，其中至少一氣泡或空隙位于該防焊層之中。

15.一種晶片封裝體的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基底，該基底具有一上表面及一下表面，其中該基底包括位于該基底的該下表面之下的多個導電墊以及位于所述導電墊之間的介電層；

自該基底的該上表面移除部分的該基底以形成朝該下表面延伸的一凹陷；

在形成該凹陷之后，自該凹陷的一底部移除部分的該基底以形成朝該基底的該下表面延伸的一孔洞，其中該孔洞的一側壁垂直于該基底的該下表面；

于該凹陷的側壁及該孔洞的側壁與底部上形成一絕緣層；

移除部分的該絕緣層及部分的該介電層以露出部分的所述導電墊；以及

于該凹陷的側壁及該孔洞的側壁與底部上形成一導電層，該導電層電性接觸所述導電墊。

16.根據權利要求15所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括在該導電層之上形成一防焊層，其中該防焊層填入該孔洞之中，且具有至少一氣泡或空隙。