[發明專利]原位晶化催化劑的制備方法無效
| 申請號: | 201110208801.3 | 申請日: | 2011-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN102895988A | 公開(公告)日: | 2013-01-30 |
| 發明(設計)人: | 熊曉云;高雄厚;潘志爽;劉宏海;王寶杰;趙紅娟;趙曉爭;張莉;胡清勛;曹庚振;侯凱軍;劉明霞 | 申請(專利權)人: | 中國石油天然氣股份有限公司 |
| 主分類號: | B01J29/08 | 分類號: | B01J29/08;B01J29/82;C10G11/05 |
| 代理公司: | 北京市中實友知識產權代理有限責任公司 11013 | 代理人: | 張茵 |
| 地址: | 100007 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 原位 催化劑 制備 方法 | ||
1.一種原位晶化催化劑的制備方法,其特征在于其制備方法包括:
(1)高嶺土微球制備原位晶化產物
以高嶺土為原料,加入去離子水、分解或沸點溫度小于等于150℃的化合物,制成的混合漿液經噴霧干燥得到高嶺土噴霧微球,再經焙燒,與硅源、堿溶液、導向劑混合晶化,濾餅經過濾、洗滌、干燥,得到原位晶化產物;分解或沸點溫度小于等于150℃的化合物的加入量是高嶺土質量的2~10%;
(2)原位晶化產物經交換和焙燒處理制備原位晶化催化劑。
2.根據權利要求1所述的催化劑的制備方法,其特征在于原位晶化產物經交換和焙燒處理的具體過程為:將原位晶化產物采用銨鹽、稀土或磷中的一種或多種進行交換、焙燒,得到原位晶化催化劑。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于分解或沸點溫度小于或等于150℃的化合物,其加入量是高嶺土質量的4~8%。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于分解或沸點溫度小于或等于150℃的化合物為C1~C4的醇、C5~C8的烷烴、C3~C6的胺、易分解的銨鹽和尿素中的一種或多種。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于分解或沸點溫度小于或等于150℃的化合物為乙醇、丙醇、戊烷、己烷、丙胺、丁胺、碳酸氫銨、草酸銨和尿素中的一種或多種。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于高嶺土為硬質高嶺土、軟質高嶺土、煤軒石中的一種,高嶺土粒徑為2.5~3.5μm,晶體高嶺石含量高于80%、氧化鐵低于1.7%、氧化鈉與氧化鉀之和低于0.5%。
7.根據權利要求1所述的方法,其特征在于導向劑的組成摩爾比為(14~16)SiO2∶(0.7~1.3)Al2O3∶(14~16)Na2O∶(300~330)H2O。
8.根據權利要求1所述的方法,其特征在于噴霧微球在600~1000℃焙燒1~3h。
9.根據權利要求1~8任意一項權利要求所述的方法,其特征在于噴霧微球在920~1000℃焙燒1~3h,得到高土微球。
10.根據權利要求1~8任意一項權利要求所述的方法,其特征在于噴霧微球在600~900℃焙燒1~3h,得到偏土微球。
11.根據權利要求1~8所述的方法,其特征在于噴霧微球焙燒后為高土微球和偏土微球的混合物,高土微球與偏土微球質量比為(9~6)∶(1~4)。
12.根據權利要求1~8任意一項權利要求所述的方法,其特征在于以高嶺土為原料制成的混合漿液,其固含量為30~50%,通過噴霧干燥得到粒徑為20~110μm的微球,將該微球在600~1000℃焙燒1~3小時后,與水玻璃、堿溶液、導向劑混合后,于90~110℃晶化18~36小時,過濾、洗滌、干燥。
13.根據權利要求1~2中任意一項權利要求所述的制備方法,其特征在于原位晶化產物在pH?3~6,溫度80~97℃下進行交換;焙燒溫度500~800℃,時間0.5~2小時。
14.根據權利要求2所述的制備方法,銨鹽為硫酸銨、氯化銨、硝酸銨、磷酸銨中的一種或多種;稀土為氯化稀土、硝酸稀土中的一種或多種;磷為磷酸氫二銨、磷酸二氫銨、磷酸銨、磷酸氫銨中的一種或多種。
15.根據權利要求14所述的制備方法,銨鹽選自氯化銨和/或硝酸銨;磷選自磷酸氫二銨和/或磷酸銨。
16.根據權利要求2所述的催化劑的制備方法,其特征在于以催化劑重量為100%計,氧化鈉≤1%,以RE2O3計,稀土含量為1~15%,以P2O5計,磷含量為0~5%。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國石油天然氣股份有限公司,未經中國石油天然氣股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110208801.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:保護晝夜神經內分泌功能的照明系統
- 下一篇:LED控制電路及方法





