[發(fā)明專利]X射線數(shù)字成像裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110208748.7
• 申請(qǐng)日: 2011-07-25
• 公開（公告）號(hào): CN102835967A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉軍;劉建國(guó);陳亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京中科美倫科技有限公司
• 主分類號(hào): A61B6/00
• 分類號(hào): A61B6/00
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及醫(yī)療電子設(shè)備，特別涉及到一種用于醫(yī)療診斷與檢測(cè)的X射線數(shù)字成像裝置。

背景技術(shù)

用于醫(yī)療診斷與病理檢查手段的X射線成像檢測(cè)設(shè)備，已作為一項(xiàng)成熟的技術(shù)廣泛被應(yīng)用于國(guó)內(nèi)外，早在97年在專利公報(bào)上公開了一種“便攜式脈沖數(shù)字化X射線成像裝置(專利申請(qǐng)?zhí)?7242603.0)”，在該專利公開的結(jié)構(gòu)中由于只使用了一個(gè)面陣CCD電荷藕合器件實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換，故拍攝的圖像不清晰，要想拍出清晰圖像，需要多個(gè)CCD的組合，這將使設(shè)備變得復(fù)雜而且昂貴。在現(xiàn)有技術(shù)中，還有許多采用圖像板技術(shù)，如多晶硒，多晶硅等也都能用于各種

不同的X射線，但也都存在著不足之處，或是價(jià)格太高，或是圖像不夠清晰，都沒有達(dá)到實(shí)現(xiàn)地步。后來的授權(quán)專利03275618.3《一種X射線數(shù)字成像乳腺掃描裝置》記載了采用CMOS線陣掃描成像裝置，雖具有高分辨率，快成像速度，低污染等因素，但由于使用直線陣列傳感器，要花去較多時(shí)間對(duì)圖像進(jìn)行掃描，且不能連續(xù)成像，X射線利用效率低，工作時(shí)器件本身受到X射線輻射影響，損傷了器件工作質(zhì)量，隨著面陣光電轉(zhuǎn)換器件技術(shù)的迅速發(fā)展，采用面陣成像代替線陣掃描成像，成為發(fā)展趨向，至此，具有較好改進(jìn)的2005年11月2日授權(quán)的專利200420096161.7“一種X射線成像通用數(shù)字化成像裝置”，裝置中采用反射鏡改變了光路的方向，該裝置不僅成像清晰，檢測(cè)精度高，而且具有耗電量小，成本低等明顯的優(yōu)點(diǎn)，但在使用中仍存在有不理想之處，由于入射光路與反射光路位于不同的正交方向，故該設(shè)備的體積還比較龐大，同時(shí)因光線成像器件(CCD或CMOS器件)處于非保護(hù)區(qū)，使這些器件不可避免受到X射線輻照損傷，導(dǎo)致性能變質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決上述技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，各種器件工作狀態(tài)穩(wěn)定的X射線數(shù)字成像裝置。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的X射線數(shù)字成像裝置，包括殼體、熒光轉(zhuǎn)換屏、可見光反射器、光收集組件以及光電成像組件；所述熒光轉(zhuǎn)換屏設(shè)在所述殼體上并適于將X射線轉(zhuǎn)換成可見光；所述可見光反射器設(shè)在所述殼體內(nèi)，且所述可見光反射器與所述熒光轉(zhuǎn)換屏成45度角；所述光收集組件用于收集可見光反射器反射的可見光；所述光電成像組件用于將所述光收集組件收集的可見光轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)以成像。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的X射線數(shù)字成像裝置具有整體結(jié)構(gòu)緊湊，調(diào)試方便，光電成像器件置于防護(hù)屏中減少輻射損傷，使用壽命延長(zhǎng)。

另外，根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的X射線數(shù)字成像裝置還可以具有如下附加的技術(shù)特征：

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述熒光轉(zhuǎn)換屏為方形。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述熒光轉(zhuǎn)換屏的尺寸為17×17英寸。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述殼體為鉛防護(hù)殼。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述光收集組件至少由一組凹凸透鏡組。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述光電成像組件包括CCD光電轉(zhuǎn)換器件和微型制冷器。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述光電成像組件包括CMOS光電轉(zhuǎn)換器件和微型制冷器。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述殼體底部設(shè)置有電纜引出口。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述光電成像組件與所述光收集組件成一體。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述可見光反射鏡、所述光電成像組件和所述光收集組件固定成一體。

本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。

附圖說明

本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的X射線數(shù)字成像裝置的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。