[發(fā)明專利]一種色散補(bǔ)償光纖

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110208342.9
• 申請(qǐng)日: 2011-07-25
• 公開（公告）號(hào): CN102243336A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張樹強(qiáng);范明峰;汪松;徐進(jìn);羅杰;曹蓓蓓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)飛光纖光纜有限公司
• 主分類號(hào): G02B6/036
• 分類號(hào): G02B6/036;G02B6/255;H04B10/18
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 胡建平

1.一種色散補(bǔ)償光纖，包括有纖芯和包層，纖芯為主要摻有鍺的相對(duì)折射率差為正值的芯層，其特征在于包覆在纖芯外的依次為主要摻有氟的下陷包層、主要摻有鍺的環(huán)形包層、主要摻有氟的匹配包層和最外層的機(jī)械包層；纖芯和各包層的相對(duì)折射率差范圍依次為：Δ1％為1.55％～2.20％，Δ2％為-0.55％～-0.30％，Δ3％為0.40％～0.65％，Δ4％為-0.20％～-0.01％，Δ5％為0；纖芯和各包層的半徑范圍從R1到R5依次為：R1為1.4～1.7μm，R2為4.1～4.8μm，R3為6.7～8.8μm，R4為10～17μm，R5為38～63μm。

2.按權(quán)利要求1所述的色散補(bǔ)償光纖，其特征在于所述纖芯的鍺重量百分比為15wt％～35wt％，下陷包層的氟重量百分比為1wt％～5wt％，環(huán)形包層的鍺重量百分比為4wt％～10wt％，匹配包層的氟重量百分比為0.3wt％～3wt％。

3.按權(quán)利要求2所述的色散補(bǔ)償光纖，其特征在于所述纖芯的鍺重量百分比為20wt％～30wt％，下陷包層的氟重量百分比為2.0wt％～3.5wt％，環(huán)形包層的鍺重量百分比為5wt％～8wt％，匹配包層的氟重量百分比為0.7wt％～1.5wt％。

4.按權(quán)利要求2所述的色散補(bǔ)償光纖，其特征在于所述纖芯和各個(gè)包層的氯重量百分比為0wt％～1.0wt％。

5.按權(quán)利要求4所述的色散補(bǔ)償光纖，其特征在于所述纖芯的氯重量百分比為0.1wt％～0.4wt％，下陷包層的氯重量百分比為0.1wt％～0.3wt％，環(huán)形包層的氯重量百分比為0.1wt％～0.3wt％，匹配包層的氯重量百分比為0.1wt％～0.4wt％，機(jī)械包層的氯重量百分比為0.1wt％～0.7wt％。

6.按權(quán)利要求1或2所述的色散補(bǔ)償光纖，其特征在于在1530nm到1565nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的色散系數(shù)為-120ps/nm-km～-260ps/nm-km，色散斜率為負(fù)值，衰減系數(shù)小于或等于0.45dB/km；相對(duì)色散斜率RDS為0.0033nm^-1到0.0040nm^-1。

7.按權(quán)利要求6所述的色散補(bǔ)償光纖，其特征在于偏振模色散小于或等于0.25ps/km^1/2。

8.按權(quán)利要求1所述的色散補(bǔ)償光纖，其特征在于所述的DCF制成色散補(bǔ)償模塊與SMF尾纖兩個(gè)接點(diǎn)處的熔接損耗之和小于或等于2dB。

9.按權(quán)利要求1所述的色散補(bǔ)償光纖，其特征在于所述的DCF與SMF尾纖熔接一個(gè)接點(diǎn)耗費(fèi)時(shí)間小于或等于90秒。