[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體芯片的測(cè)試結(jié)構(gòu)及應(yīng)用于測(cè)量電介質(zhì)特性的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110208201.7
• 申請(qǐng)日: 2011-07-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102445649A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邵棟樑;梁世緯;陳英儒;楊慶榮;陳憲偉;蔡豪益;李明機(jī);余振華
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01R31/28
• 分類(lèi)號(hào): G01R31/28;G01N27/20;G01N27/24
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 張?jiān)≡?張志杰

1.一種測(cè)試結(jié)構(gòu)，用于測(cè)量一尚未封裝的半導(dǎo)體芯片，包括：

一施力部件與該半導(dǎo)體芯片的一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)耦接，可操控該施力部件以施加一力于該半導(dǎo)體芯片之上；以及

第一以及第二測(cè)試部分與該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)耦接，該第一以及第二測(cè)試部分為可操控，用以測(cè)量相關(guān)于該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中一預(yù)定區(qū)域的一電性效能；

其中該第一以及第二測(cè)試部分為可操控，于施加該力于該半導(dǎo)體芯片時(shí)測(cè)量該電性效能。

2.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中：

該施力部件通過(guò)一測(cè)試焊盤(pán)與該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)耦合，該施力部件包括接合線、焊料球體以及銅凸塊其中之一；

該施力部件為可操控，以將該施力部件拉向遠(yuǎn)離該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的方向；以及

該施力部件為可操控，沿平行于該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的方向?qū)υ撌┝Σ考┝Α?!-- SIPO -->

3.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中：

該第一以及第二測(cè)試部分分別包括電信號(hào)可通過(guò)的多個(gè)第一測(cè)試焊盤(pán)及多個(gè)第二測(cè)試焊盤(pán)；

所述多個(gè)第一測(cè)試焊盤(pán)及第二測(cè)試焊盤(pán)與該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中多個(gè)金屬層之一耦合；以及

該欲測(cè)量的電性效能包括與該預(yù)定區(qū)域內(nèi)一低介電常數(shù)電介質(zhì)相關(guān)的電性特征。

4.如權(quán)利要求3所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其中該第一測(cè)試焊盤(pán)與該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中的一第一金屬線電性耦合，且該第二測(cè)試焊盤(pán)與該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中的一第二金屬線電性耦合，該第一及該第二金屬線被設(shè)置于該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中不同的金屬層內(nèi)，且該第一及該第二金屬線部分互相重疊于該預(yù)定區(qū)域內(nèi)。

5.一種半導(dǎo)體元件測(cè)試裝置，包括一測(cè)試結(jié)構(gòu)，該測(cè)試結(jié)構(gòu)：

施加一機(jī)械力于一尚未封裝的半導(dǎo)體元件中一特定區(qū)域，該機(jī)械力隨著時(shí)間變化；

測(cè)量該特定區(qū)域一電性參數(shù)因受該機(jī)械力影響而產(chǎn)生的一變化值；以及

根據(jù)該變化值決定該區(qū)域內(nèi)一缺陷的發(fā)生。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件測(cè)試裝置，其中：

該機(jī)械力隨著時(shí)間增加；

該電性參數(shù)的該變化值包括該電性參數(shù)的一瞬間變化值；以及

該缺陷包括一碎裂缺陷。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件測(cè)試裝置，其中該測(cè)試結(jié)構(gòu)為可操控，以招致該缺陷發(fā)生的方式施加該機(jī)械力；以及

當(dāng)該機(jī)械力正在施加的同時(shí)，同步測(cè)量該變化值。

8.一種測(cè)量半導(dǎo)體元件電介質(zhì)特性的方法，包括：

施加一機(jī)械力于一尚未封裝的半導(dǎo)體元件中的一電介質(zhì)部分；

當(dāng)該機(jī)械力正在施加的同時(shí)，測(cè)量該電介質(zhì)部分的一電性參數(shù)；以及

根據(jù)該測(cè)量，對(duì)該電介質(zhì)部分進(jìn)行一特性分析。

9.如權(quán)利要求8所述的測(cè)量半導(dǎo)體元件電介質(zhì)特性的方法，其中該特性分析包括：

根據(jù)該電性參數(shù)的一測(cè)量值的一變化，決定該電介質(zhì)部分內(nèi)產(chǎn)生一缺陷的情形；以及

紀(jì)錄該缺陷產(chǎn)生時(shí)施加的力值。

10.如權(quán)利要求9所述的測(cè)量半導(dǎo)體元件電介質(zhì)特性的方法，其中：

該電介質(zhì)部分為一低介電常數(shù)材料，位于該半導(dǎo)體元件的一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中；以及

該缺陷包括一碎裂缺陷。