[發明專利]半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201110208194.0
• 申請日: 2011-07-25
• 公開（公告）號: CN102903666A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 鮑宇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;徐金紅

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供半導體基底，該半導體基底包含下部互連；

在所述半導體基底上形成電介質層；

在所述電介質層上形成暴露出所述下部互連的溝槽；

在所述電介質層上和所述溝槽中形成阻障層和種晶層；

采用化學電鍍法沉積銅金屬層，填滿所述溝槽；

采用化學電鍍法沉積銅合金層，覆蓋于所述銅金屬層上；

執行退火處理。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述銅合金層的摻雜元素為銀，鋁，錳中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用化學電鍍法沉積所述銅金屬層和/或銅合金層的電解液中包含五水合硫酸銅溶液和硫酸溶液。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述五水合硫酸銅溶液濃度范圍為20～100g/L，硫酸溶液濃度范圍為100～300g/L。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用化學電鍍法沉積所述銅合金層的電解液中還包含硝酸銀溶液。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述硝酸銀溶液濃度范圍為0～0.5g/L。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火處理的條件為：退火溫度范圍100～400℃，退火時間范圍1～60分鐘。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述退火處理后還包括去除所述銅合金層的多余部分直至露出所述電介質層表面的步驟。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，還包括在露出所述電介質層和銅合金表面上形成一覆蓋層的步驟。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述覆蓋層為碳氮化硅層。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電介質層為低介電常數電介質層。