[發明專利]固態攝像器件、其驅動方法和電子裝置有效
| 申請號: | 201110208114.1 | 申請日: | 2011-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN102347341A | 公開(公告)日: | 2012-02-08 |
| 發明(設計)人: | 出羽恭子;原田耕一 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 武玉琴;陳桂香 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 攝像 器件 驅動 方法 電子 裝置 | ||
1.一種固態攝像器件,其包括:
半導體基板,其包括光接收表面,所述光接收表面根據布置成矩陣形狀的像素進行劃分,并是由光電轉換部形成;
電致變色膜,在選自所述像素的一部分像素中,所述電致變色膜在所述半導體基板上形成為位于所述光電轉換部對應的光入射路徑上,所述電致變色膜的光透射率根據施加到所述電致變色膜的電壓從第一透射率變為第二透射率;
下電極,其形成在所述電致變色膜下方;和
上電極,其形成在所述電致變色膜上方。
2.如權利要求1所述的固態攝像器件,其中,根據施加到所述電致變色膜的所述電壓將所述電致變色膜的所述光透射率從所述第一透射率變為所述第二透射率所需的時間少于一秒。
3.如權利要求1所述的固態攝像器件,其中,所述像素包括紅色像素、綠色像素和藍色像素,
所述固態攝像器件還包括濾色器,在形成有所述紅色像素、所述綠色像素和所述藍色像素中每個像素且傳輸紅色、綠色和藍色波長區域的光的區域中,所述濾色器在所述半導體基板上形成為位于所述光電轉換部對應的光入射路徑上。
4.如權利要求1所述的固態攝像器件,其中,所述電致變色膜是堆疊體,所述堆疊體包括電致變色材料層、固體電解質層和離子存儲層。
5.如權利要求1所述的固態攝像器件,其中,在除形成有所述電致變色膜的所述一部分像素之外的其余像素中形成平坦化膜,所述平坦化膜緩和由所述電致變色膜的厚度引起的臺階。
6.如權利要求1所述的固態攝像器件,其還包括光致變色膜,所述光致變色膜在所述下電極和所述上電極之間形成為與所述電致變色膜堆疊,所述光致變色膜的光透射率根據入射光的量從第三透射率變為第四透射率。
7.如權利要求1所述的固態攝像器件,其中,所述上電極和所述下電極是由ITO或包括石墨烯或碳納米管的納米碳材料制成。
8.一種固態攝像器件,其包括:
半導體基板,其包括光接收表面,所述光接收表面根據布置成矩陣形狀的像素進行劃分,并是由光電轉換部形成;
電致變色膜,在至少一部分所述像素中,所述電致變色膜在所述半導體基板上形成為位于所述光電轉換部對應的光入射路徑上,所述電致變色膜的光透射率根據施加到所述電致變色膜的電壓從第一透射率變為第二透射率;
下電極,其形成在所述電致變色膜下方;
上電極,其形成在所述電致變色膜上方;和
電壓施加部,其檢測所述光電轉換部中所累積的電荷量,并根據所述電荷量向所述電致變色膜施加所述電壓。
9.如權利要求8所述的固態攝像器件,其中,根據施加到所述電致變色膜的所述電壓將所述電致變色膜的所述光透射率從所述第一透射率變為所述第二透射率所需的時間少于一秒。
10.如權利要求8所述的固態攝像器件,其中,所述像素包括紅色像素、綠色像素和藍色像素,
所述固態攝像器件還包括濾色器,在形成有所述紅色像素、所述綠色像素和所述藍色像素中每個像素且傳輸紅色、綠色和藍色波長區域的光的區域中,所述濾色器在所述半導體基板上形成為位于所述光電轉換部對應的光入射路徑上。
11.如權利要求8所述的固態攝像器件,其中,所述電致變色膜是堆疊體,所述堆疊體包括電致變色材料層、固體電解質層和離子存儲層。
12.如權利要求8所述的固態攝像器件,其中,所述電壓施加部根據包括多個所述像素的各行像素中的所述電荷量,向所述電致變色膜施加所述電壓。
13.如權利要求8所述的固態攝像器件,其中,所述電壓施加部根據各個像素中的所述電荷量,向所述電致變色膜施加所述電壓。
14.如權利要求8所述的固態攝像器件,其中,所述電壓施加部連接到電壓保持部,所述電壓保持部保持施加到所述電致變色膜的所述電壓。
15.如權利要求8所述的固態攝像器件,其還包括光致變色膜,所述光致變色膜在所述下電極和所述上電極之間形成為與所述電致變色膜堆疊,所述光致變色膜的光透射率根據入射光的量從第三透射率變為第四透射率。
16.如權利要求8所述的固態攝像器件,其中,所述上電極和所述下電極是由ITO或包括石墨烯或碳納米管的納米碳材料制成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





