[發明專利]半導體發光元件和其驅動方法及發光裝置和光脈沖測試儀

有效

• 申請號: 201110207676.4
• 申請日: 2011-07-25
• 公開（公告）號: CN102377108A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 森本慎太郎;森浩;長島靖明
• 申請（專利權）人: 安立股份有限公司
• 主分類號: H01S5/10
• 分類號: H01S5/10;H01S5/30;H01S5/042;G01J11/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 岳雪蘭

1.一種半導體發光元件，其特征在于，

在半導體基板上具有通過劈開形成的第1光出射端面及第2光出射端面，在不同的波長頻帶具有增益波長的多個活性層在光的波導方向上，從所述第1光出射端面朝向所述第2光出射端面按所述增益波長的長度依次被光耦合而配置，

在所述半導體基板的底面形成下部電極的同時在所述多個活性層的各自的上方形成多個上部電極，

鄰接的2個活性層中在具有較短的增益波長的活性層附近并且在該2個活性層的分界面附近，形成有至少一個具有相當于該較短的增益波長的布拉格波長的衍射光柵，

向所述多個活性層中的1個外加驅動電流時，設置于具有該較短的增益波長的活性層的上方的所述上部電極和所述下部電極被短路，以使漏電流不流入鄰接于外加該驅動電流的活性層的具有更短的增益波長的活性層，通過由所述第1光出射端面和所述第2光出射端面構成的共振器來振蕩在具有最長的增益波長的活性層產生的光，通過由所述衍射光柵和所述第2光出射端面構成的共振器來振蕩在具有較短的增益波長的活性層產生的光，同時從所述第2光出射端面出射。

2.如權利要求1所述的半導體發光元件，其特征在于，

相對從所述第2光出射端面出射的光的反射率形成為低于相對從所述第1光出射端面出射的光的反射率。

3.如權利要求1或權利要求2所述的半導體發光元件，其特征在于，

所述多個活性層由第1活性層及第2活性層構成，

所述第1活性層的所述增益波長為1.52～1.58μm，

所述第2活性層的所述增益波長為1.28～1.34μm。

4.如權利要求1或權利要求2所述的半導體發光元件，其特征在于，

所述多個活性層由第1活性層、第2活性層及第3活性層構成，

所述第1活性層的所述增益波長為1.60～1.65μm，

所述第2活性層的所述增益波長為1.52～1.58μm，

所述第3活性層的所述增益波長為1.28～1.34μm。

5.一種半導體發光元件的驅動方法，

該半導體發光元件由如下結構形成：其在半導體基板上具有通過劈開形成的第1光出射端面及第2光出射端面，在不同的波長頻帶具有增益波長的多個活性層在光的波導方向上，從所述第1光出射端面朝向所述第2光出射端面按所述增益波長的長度依次被光耦合而配置，在所述半導體基板的底面形成下部電極的同時，在所述多個活性層的各自的上方形成用于分別向該多個活性層外加驅動電流的多個上部電極，鄰接的2個活性層中在具有較短的增益波長的活性層附近并且在該2個活性層的分界面附近，形成有至少一個具有相當于該較短的增益波長的布拉格波長的衍射光柵，通過由所述第1光出射端面和所述第2光出射端面構成的共振器來振蕩在具有最長的增益波長的活性層產生的光，通過由所述衍射光柵和所述第2光出射端面構成的共振器來振蕩在具有較短的增益波長的活性層產生的光，同時從所述第2光出射端面出射，

所述半導體發光元件的驅動方法，其特征在于，向所述多個活性層中的1個外加驅動電流時，短路設置于具有該較短的增益波長的活性層的上方的所述上部電極和設置于所述半導體基板的底面的所述下部電極，以使漏電流不流入鄰接于外加該驅動電流的活性層的具有更短的增益波長的活性層。

6.如權利要求5所述的半導體發光元件的驅動方法，其特征在于，

相對從所述半導體發光元件的所述第2光出射端面出射的光的反射率形成為低于相對從所述半導體發光元件的所述第1光出射端面出射的光的反射率。

7.如權利要求5或權利要求6所述的半導體發光元件的驅動方法，其特征在于，

所述半導體發光元件的所述多個活性層由第1活性層及第2活性層構成，

所述第1活性層的所述增益波長為1.52～1.58μm，

所述第2活性層的所述增益波長為1.28～1.34μm。

8.如權利要求5或權利要求6所述的半導體發光元件的驅動方法，其特征在于，

所述半導體發光元件的所述多個活性層由第1活性層、第2活性層及第3活性層構成，

所述第1活性層的所述增益波長為1.60～1.65μm，

所述第2活性層的所述增益波長為1.52～1.58μm，

所述第3活性層的所述增益波長為1.28～1.34μm。