[發明專利]陣列基板及其制作方法、液晶面板、顯示裝置

無效

• 申請號: 201110207503.2
• 申請日: 2011-07-22
• 公開（公告）號: CN102629609A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 郭煒;李禹奉
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、液晶面板及顯示裝置。

背景技術

現有的顯示裝置越來越趨于多樣化，常見的就有液晶顯示器、電子書閱讀器、OLED(Organic?Light-Emitting?Diode，有機發光二極管)顯示器等。

以液晶顯示器為例，液晶顯示器的TFT(Thin?Film?Transistor，薄膜場效應晶體管)結構中的柵極和源/漏極作為陣列基板中的金屬電極，需要具有較低的電阻、與基板和其他膜層(比如非晶硅、摻雜非晶硅層)有較好的粘附性、不會在a-Si(非晶硅)層產生離子擴散、與像素電極層的接觸電阻值低、易于刻蝕、在CVD(Chemical?Vapor?Deposition，化學氣相沉積)成膜過程中沒有hillock(小丘)產生、不易氧化等良好的特性。

在TFT-LCD(液晶顯示器)產業化初期，金屬電極配線使用的主要材料是高熔點的金屬，如鉻Cr、鉬Mo、鉭Ta等。

隨著液晶面板尺寸的增大，要求降低金屬電極的電阻，此時金屬鋁Al被廣泛使用，但是由于在工藝過程中容易發生hillock現象以及Al離子容易擴散至a-Si層中，所以改用鋁合金金屬來代替純鋁，比如Al-Nd(鋁釹合金)、Al-Ce(鋁鈰合金)、Al-Nd-Mo(鋁釹鉬)等。

隨著液晶顯示產品的更大面積化及高速驅動和高精細(4k*2k)的要求，電阻率更低的金屬銅Cu更多地被使用作為TFT結構中的金屬電極。

在實現上述液晶顯示器的TFT結構的過程中，發明人發現現有技術中至少存在如下問題：1)Cu與基板之間的粘結性很低，因此容易剝離；2)Cu與a-Si或N+a-Si薄膜層接觸時容易出現Cu離子擴散至Si系列薄膜，進而影響TFT結構的導通性能。

發明內容

本發明的實施例提供一種陣列基板及其制作方法、液晶面板及顯示裝置，用以有效防止TFT結構中金屬電極層的金屬離子擴散至硅系列薄膜層以及增加金屬電極層與基板之間的附著力。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一種陣列基板，包括基板以及形成在所述基板上的柵金屬層、有源層和源/漏金屬層；其中，在所述柵金屬層的至少一側形成有隔離緩沖層，和/或，在所述源/漏金屬層的至少一側形成有隔離緩沖層；

而且，所述隔離緩沖層由氧化鉬制成。

一種制作上述陣列基板的方法，包括：

步驟A、在柵金屬層的至少一側形成與該柵金屬層具有相同圖案的隔離緩沖層；和/或，

步驟B、在源/漏金屬層的至少一側形成與所述源/漏金屬層具有相同圖案的隔離緩沖層；

其中，所述隔離緩沖層由氧化鉬制成。

一種液晶面板，包括相對設置的彩膜基板和陣列基板；其中，所述陣列基板采用上述的陣列基板。

一種顯示裝置，該顯示裝置采用上述的陣列基板。

本發明實施例提供的陣列基板及其制作方法、液晶面板及顯示裝置，利用氧化鉬作為隔離緩沖層的制作材料，提供了一種新的隔離緩沖層實現方式；而且，包含有氧化鉬的隔離緩沖層不只可以使有效防止TFT結構中金屬電極層的金屬離子擴散至硅系列薄膜層，而且可以增加金屬電極層與基板之間的附著力。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例一中的陣列基板的結構示意圖；

圖2A～圖2D為圖1中所示陣列基板的制作過程示意圖；

圖3為本發明實施例二中的陣列基板的結構示意圖；

圖4為本發明實施例三中的陣列基板的結構示意圖；

圖5為本發明實施例四中的陣列基板的結構示意圖；

圖6為本發明實施例五中的陣列基板的結構示意圖；

圖7為本發明實施例六中的陣列基板的結構示意圖；

圖8為本發明實施例七中的陣列基板的結構示意圖；

圖9為本發明實施例八中的陣列基板的結構示意圖；

附圖標記：1-基板；2-柵金屬層；21-第一隔離緩沖層；22-第三隔離緩沖層；3-柵絕緣層；4-半導體層；5-歐姆接觸層；6-源/漏金屬層；61-第二隔離緩沖層；62-第四隔離緩沖層；7-鈍化層；8-像素電極；9-有源層。

具體實施方式