[發明專利]銦鎵氮基光電極的表面處理方法有效
| 申請號： | 201110206604.8 | 申請日： | 2011-07-22 |
| 公開（公告）號： | CN102304738A | 公開（公告）日： | 2012-01-04 |
| 發明（設計）人： | 鄒志剛;羅文俊;李朝升;李明雪;劉斌;陳敦軍;于濤;謝自力;張榮 | 申請（專利權）人： | 南京大學 |
| 主分類號： | C25D11/02 | 分類號： | C25D11/02;C25B11/04 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人： | 周靜 |
| 地址： | 210093 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 銦鎵氮基光 電極 表面 處理 方法 | ||
1.一種銦鎵氮基光電極的表面處理方法，其特征在于，把InxGa1-xN光電極作為陽極，浸在0.1～5M?HCl水溶液中，在無光照條件下從0V到5V用循環伏安法掃描至少1個循環，其中0＜x＜1。
2.如權利要求1所述的銦鎵氮基光電極的表面處理方法，其特征在于，用循環伏安法掃描1～50個循環。
3.如權利要求1或2所述的銦鎵氮基光電極的表面處理方法，其特征在于，所述InxGa1-xN光電極表面InxGa1-xN的厚度不小于250nm。
4.如權利要求3所述的銦鎵氮基光電極的表面處理方法，其特征在于，所述InxGa1-xN光電極表面InxGa1-xN的厚度為250-1500nm。
5.如權利要求4所述的銦鎵氮基光電極的表面處理方法，其特征在于，所述InxGa1-xN光電極表面InxGa1-xN的厚度為250-300nm。
6.如權利要求1或2所述的銦鎵氮基光電極的表面處理方法，其特征在于，把InxGa1-xN光電極作為陽極，浸在0.5～2M?HCl水溶液中，在無光照條件下從0V到5V用循環伏安法掃描至少1個循環，其中0＜x＜1。
7.如權利要求1或2所述的銦鎵氮基光電極的表面處理方法，其特征在于，0.1≤x≤0.5。
8.如權利要求7所述的銦鎵氮基光電極的表面處理方法，其特征在于，0.1≤x≤0.3。
9.如權利要求1或2所述的銦鎵氮基光電極的表面處理方法，其特征在于，循環伏安法掃描時，鉑金Pt作為陰極，Ag/AgCl電極作為參比電極。
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