[發明專利]液晶活性單體及液晶面板

無效

• 申請號: 201110206568.5
• 申請日: 2011-07-22
• 公開（公告）號: CN102604648A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 謝忠憬;賀成明
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: C09K19/12
• 分類號: C09K19/12;G02F1/1333
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 歐陽啟明

技術領域

本發明涉及一種液晶活性單體及液晶面板，特別是涉及一種加入了氟基團的液晶活性單體及具有此液晶活性單體的液晶面板。

背景技術

傳統的液晶面板制造過程的液晶注入方式，是以毛細原理將液晶慢慢注入已組合的兩玻璃基板之間，這種方法缺點是非常耗時且浪費液晶材料。

前述的液晶注入方式已逐漸由一種滴下式注入(One?Drop?Filling，ODF)技術所取代。所述滴下式注入技術是先將液晶通過液晶滴下裝置直接滴在一玻璃基板上，然后才將其與另一玻璃進行對組。這種新的技術可以大幅節省注入液晶的時間與液晶材料。

然而，制作某些針對液晶配向以改善視角的液晶面板時，通過所述滴下式注入技術使液晶滴下到基板上的配向膜(alignment?film)時，配向膜受到液晶滴的沖擊的影響往往會導致成品的滴下圖形顯示不均現象(drop?mura?defect)的發生。

更詳細來說，請參照圖1A所示，其揭示現有ODF技術中在透明基板的配向膜上滴上液晶組成物的示意圖。請參照圖1B和圖1C，其揭示液晶組成物中液晶活性單體沉積在配向膜之上的示意圖，其中滴下圖形顯示不均勻現象是由于不同分量的液晶活性單體(reactive?monomer，RM)沉積在透明基板上的配向膜的聚酰亞胺(polyimide，PI)表面造成的。

現有ODF技術中所使用的液晶活性單體(RM)，其分子式如下：

當改變液晶的晶穴間隙(cell?gap)并使之小于3.8微米(μm)時，會造成現有液晶活性單體難以在配向膜的聚酰亞胺表面大面積的擴散分布開來，從而導致不同分量的液晶活性單體(RM)不均勻的沉積在配向膜(PI)表面(如圖1所示)。因此，當液晶的晶穴間隙小于3.8μm時，液晶面板會產生滴下圖形顯示不均勻現象。

請參照表1所示，表1是對現有液晶活性單體(RM)在各種液晶的晶穴間隙條件下進行的滴下圖形顯示不均勻現象(Drop?mura)的考察結果。從表1可以很明顯的看出，當晶穴間隙小于3.8μm時會產生下圖形顯示不均勻現象(Drop?mura)。

表1

??晶穴間隙?活性單體??滴下圖形顯示不均勻現象??3.8μm?分子式(I)??少??3.5μm?分子式(I)??多??3.3μm?分子式(I)??多??3.0μm?分子式(I)??多

更詳細來說，造成上述圖形顯示不均勻現象的原因在于液晶活性單體(RM)與配向膜(PI)之間的相互作用力(interaction)過大，因此不利于使包含液晶活性單體(RM)的液晶組成物均勻的擴散分布于配向膜的聚酰亞胺(PI)表面。

故，有必要提供一種具有修飾基團的液晶活性單體(RM)，以解決現有技術所存在的問題。

發明內容