[發(fā)明專(zhuān)利]一種內(nèi)插有Dummy金屬陣列的片上集成電感

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110206561.3
• 申請(qǐng)日: 2011-07-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102299134A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李小進(jìn);祝文濤;石艷玲;王勇;蔡靜;葉紅波;胡少堅(jiān)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華東師范大學(xué);上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/522
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/522;H01F17/00
• 代理公司: 上海麥其知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31257
• 代理人: 董紅曼

1.一種內(nèi)插有Dummy金屬陣列的片上集成電感，其特征在于，所述片上集成電感依次包括金屬層、隔離層和底層金屬層；所述金屬層通過(guò)設(shè)置在所述隔離層的通孔與所述底層金屬層相連；其中，所述金屬層包括電感線(xiàn)圈，所述電感線(xiàn)圈內(nèi)排列有Dummy金屬陣列。

2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)插有Dummy金屬陣列的片上集成電感，其特征在于，當(dāng)所述金屬層是一個(gè)以上時(shí)，在相鄰所述金屬層之間設(shè)置隔離層，在所述片上集成電感的底部設(shè)置底層金屬層；所述金屬層的電感線(xiàn)圈之間通過(guò)所述隔離層的通孔形成串聯(lián)。

3.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)插有Dummy金屬陣列的片上集成電感，其特征在于，所述Dummy金屬陣列被絕緣層包圍。

4.如權(quán)利要求4所述的內(nèi)插有Dummy金屬陣列的片上集成電感，其特征在于，所述絕緣層可以是二氧化硅或氮化硅。

5.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)插有Dummy金屬陣列的片上集成電感，其特征在于，所述Dummy金屬陣列為一個(gè)以上的條狀金屬平行排列構(gòu)成。

6.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)插有Dummy金屬陣列的片上集成電感，其特征在于，所述Dummy金屬陣列與所述電感線(xiàn)圈的間距為電感線(xiàn)圈內(nèi)徑的20%~50%。

7.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)插有Dummy金屬陣列的片上集成電感，其特征在于，所述Dummy金屬陣列中的條狀金屬的寬度W1為1-12微米，條狀金屬的間距S1為1-2微米。

8.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)插有Dummy金屬陣列的片上集成電感，其特征在于，所述電感線(xiàn)圈的圈數(shù)為1.5~5圈，電感線(xiàn)圈的外徑Dist為100~300微米，電感線(xiàn)圈的寬度w為2~12微米，電感線(xiàn)圈間距S為1~6微米。

9.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)插有Dummy金屬陣列的片上集成電感，其特征在于，所述片上集成電感中電感線(xiàn)圈內(nèi)的金屬密度為20%?~33%。